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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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拆解|QR架構、功率密度0.91W/cm3的國產30W 氮化鎵快充
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）隨著電子設備充電功率的不斷提高，具有耐高溫 、高壓、高開關頻率的氮化鎵，在消費類快充領域進入了發(fā)展的快車道。氮化鎵不僅能夠替...
氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導體，具有一些令人難以置信的特性。其中，它的開關速度比傳統(tǒng)的硅基設備快幾倍，從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外，它...
GaN 提高了功率轉換級的效率，使其成為制造高效電壓轉換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優(yōu)勢，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
傳統(tǒng)上，半導體生產中最常用的材料是硅 (Si)，因為它的資源豐富且價格實惠。然而，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...
氮化鎵是未來節(jié)能電動汽車和 5G 網(wǎng)絡的關鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機構Rise 測試平臺 ProNano開發(fā)...
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。 現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...
在設計基于氮化鎵的轉換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉換是一個革命性事件，其規(guī)?？膳c 70 年代后期的功率 MOS...
氮化鎵已成為事實上的第三代半導體材料。然而，以您需要的質量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰(zhàn)。
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產品和電動...
2022-07-29 標簽：適配器氮化鎵Transphorm 894 0
Anker推出GaNPrime全氮化鎵系統(tǒng)與產品
“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產品，包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進一步滿足消費者多樣化的充電需求。
不久前，SiC和GaN器件的應用還被認為是困難的，但到了2018年，這些技術的優(yōu)勢開始被應用到現(xiàn)實生活中。這項新技術成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...
軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升
現(xiàn)在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對更高功率密度和改進冷卻的巨大需求，這讓這兩個行...
每個世紀在人類努力的各個領域都有其重大發(fā)明。對于電力電子而言，21世紀正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過去的二十年里，研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗...
我們發(fā)現(xiàn)機架式電源對電信服務器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場中，他們只需要越來越高的效率，所有輸出范圍內的效率都超過 90%，這讓您進入鈦...
氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長期存在并未結束，它憑借其功率晶體管進入太空，這是支持極端太空任務的電源和射頻應用的理想選擇。E...
氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...
WiBotic是一家設計和制造無人機和機器人電池充電解決方案的公司，獲得了投資者的信任。這家成立 4 年的初創(chuàng)公司已獲得 570 萬美元的 A 輪融資。...
由于其化學物理特性和高度可靠的制造工藝，硅 （Si） 多年來一直是制造無源和有源電子元件最常用的半導體。MOSFET 和 IGBT 技術的引入也使得 S...
本文將討論三個貢獻。它將通過對 N 相切換和分相切換方案進行比較并突出它們的優(yōu)勢來初步分析它們。對于小負載，N 相方案效率更高，而分相方案適用于較重的負...
下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT
納米電子和數(shù)字技術研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...
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