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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵功率器件：從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料得以大力發(fā)展，譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機(jī)等消費(fèi)類電子上得到越來越多的采用。在經(jīng)...
QPA3908 和 QPA3810 為集成式兩級 PAM，專為大規(guī)模 MIMO 應(yīng)用而設(shè)計(jì)，器件輸出具有 8 瓦 RMS。QPA3908 的工作頻率范圍...
兩款氮化鎵8瓦功率放大器模塊(PAM)QPA3908和QPA3810
日本電氣股份有限公司 (NEC) 擁有追求技術(shù)創(chuàng)新以及與領(lǐng)先行業(yè)供應(yīng)商合作的悠久傳統(tǒng)。NEC 已與 Qorvo 合作實(shí)施 QPA3908 和 QPA38...
加賀富儀艾電子加快基于氮化鎵USB-C PD電源適配器的研發(fā)
近日，加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的...
納微半導(dǎo)體助力一加ACE手機(jī)首款標(biāo)配氮化鎵充電器發(fā)布
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機(jī)實(shí)現(xiàn)超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號訊 - 納微半...
2022-08-12 標(biāo)簽：手機(jī)氮化鎵納微半導(dǎo)體 9638 0
在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度，同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐，以...
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...
設(shè)計(jì)人員在電動和混合動力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備，以減少開關(guān)損耗。
GaN下游：功率、射頻市場格局；國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié)，同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...
多年來，設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1157 0
電動汽車的日益普及正在改變行業(yè)，對緊湊輕巧的電源管理解決方案的強(qiáng)烈需求同時(shí)又不影響車輛性能。同時(shí)，設(shè)計(jì)更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...
碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國防領(lǐng)域的電源應(yīng)用
半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來越高： 硅 Mosfets 的開關(guān)電阻太高，無法達(dá)到 SiC（碳化硅）提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...
Diamond 實(shí)現(xiàn)大功率電子產(chǎn)品的熱管理
Diafilm TM220 是一種化學(xué)氣相沉積 （CVD） 金剛石熱等級，可為工業(yè)用戶提供超過 2200 W/mK 的熱導(dǎo)率。
能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場。電動汽車 (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個(gè)參...
電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢以及對功率密度的需求不斷增加，將熱管理問題置...
在過去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...
上周日，問天實(shí)驗(yàn)艙由長征5號B遙三運(yùn)載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上現(xiàn)役最大的單體載人航天艙段送上...
2022-08-01 標(biāo)簽：氮化鎵衛(wèi)星系統(tǒng)空間站 2641 0
國產(chǎn)氮化鎵芯片“上天”，中國空間站、北斗、火星探測都已經(jīng)用上
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）上周日，問天實(shí)驗(yàn)艙由長征5號B遙三運(yùn)載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上...
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