貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板

貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。

2020-03-16 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動器 1488 0

機(jī)械革命無界14 Pro銳龍版即將上市，配備2.8K 120Hz顯示屏和5.1G網(wǎng)卡

在屏幕方面，新款電腦也同樣出色。其配置了2.8K 120Hz的顯示屏，像素達(dá)到了2880*1800，且具有400nit的光照度（典型值）與100%的sR...

2024-02-23 標(biāo)簽：amd顯示屏氮化鎵 1485 0

GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？

GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？GaN驅(qū)動電路有哪些設(shè)計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電...

2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動電路氮化鎵GaN 1481 0

10月30-31日重磅來襲丨CS China常州會議精彩劇透！匯聚頂流技術(shù)大咖，聚焦行業(yè)前沿風(fēng)向！

化合物半導(dǎo)體是我國重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭格局的重要突破口！隨著競爭的加劇，化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)入技術(shù)創(chuàng)新爆發(fā)期，各種新技術(shù)、新產(chǎn)品層出不窮。氮化鎵、碳化硅...

2024-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵化合物半導(dǎo)體 1478 0

全球功率半導(dǎo)體市場迅猛增長：消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動

除了智能手機(jī)，通信設(shè)備、計算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。

2024-03-07 標(biāo)簽：智能手機(jī)SiC氮化鎵 1469 0

Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC

新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...

2023-11-02 標(biāo)簽：散熱器Power氮化鎵 1468 0

Anker推出GaNPrime全氮化鎵系統(tǒng)與產(chǎn)品

　　“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產(chǎn)品，包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進(jìn)一步滿足消費(fèi)者多樣化的充電需求。

2022-07-27 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 1465 0

GaN價格及市場規(guī)模的發(fā)展趨勢

根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球GaN 功率器件營收規(guī)模約為 1.66 億美元，其中消費(fèi)類電子市場為0.95億美元，通信與數(shù)據(jù)中...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵GaN射頻器件 1465 0

科雅超低音X2電容用于NITRIDE 65W超薄氮化鎵充電器

深圳市譽(yù)鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器，充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容，助力超薄設(shè)計，厚度僅為12.8mm。支持...

2022-12-02 標(biāo)簽：充電器脈沖氮化鎵 1464 0

安世半導(dǎo)體Nexperia 2024年財報：營收20.6億美元，市場份額從2023年的8.9%提升至9.7%

安世半導(dǎo)體近日公布了2024財年財務(wù)業(yè)績。在宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)不確定和市場周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強(qiáng)大的抗風(fēng)險能力，通過強(qiáng)化執(zhí)行力和堅持創(chuàng)新投入，實(shí)現(xiàn)了...

2025-05-16 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅Nexperia 1460 0

美國一家GaN晶圓廠倒閉，總投資超過10億人民幣！

近日，美國一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉，該企業(yè)還有一個晶圓廠，總投資超過10億人民幣，而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū)，倒閉原因是什么？

2024-01-29 標(biāo)簽：led照明晶圓氮化鎵 1460 0

何時應(yīng)對寬能帶隙材料時代？

對于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡單地說，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能，這種性能提...

2012-11-26 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1458 0

騰訊專訪納微副總裁查瑩杰：電源架構(gòu)與材料，即將發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變

在采訪中，查瑩杰先生向我們介紹了氮化鎵在電力電子行業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展，納微半導(dǎo)體的使命以及未來發(fā)展的方向。

2021-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵騰訊納微半導(dǎo)體 1453 0