氮化鎵（GaN）如何應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)和可持續(xù)性挑戰(zhàn)

為了提高采用率，電動(dòng)汽車(chē)必須提供安全性和便利性，在這種情況下，這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時(shí)間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...

2022-12-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)DC-DC氮化鎵 1801 0

120W氮化鎵充電器拆解對(duì)比：看國(guó)產(chǎn)芯片如何征服大廠

因?yàn)檫@兩個(gè)充電器呢都是PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu)，因此我們可以對(duì)應(yīng)著相同功能部分來(lái)對(duì)比。先看一些被動(dòng)元器件，像保險(xiǎn)絲，NTC浪涌抑制電阻，安規(guī)電容，...

2022-12-14 標(biāo)簽：元器件充電器氮化鎵 9232 0

Ganvix與BluGlass合作開(kāi)發(fā)基于GaN的綠光VCSEL

與此同時(shí)，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開(kāi)發(fā)一種稱(chēng)為遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術(shù)，其不同于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCV...

2022-12-12 標(biāo)簽：激光器氮化鎵GaN 820 0

三代半導(dǎo)體材料的區(qū)別是什么

研究機(jī)構(gòu)：“全球碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到18.4億美元，2025年會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng)到52.9億美元”。那么什么是半導(dǎo)體？

2022-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1189 0

SW1106 65W氮化鎵快充解決方案

放眼當(dāng)下市場(chǎng)，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國(guó)外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇空間十分有限，同時(shí)也蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。日前，智融科技推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片...

2022-12-05 標(biāo)簽：控制器氮化鎵 2254 0

科雅超低音X2電容用于NITRIDE 65W超薄氮化鎵充電器

深圳市譽(yù)鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器，充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容，助力超薄設(shè)計(jì)，厚度僅為12.8mm。支持...

2022-12-02 標(biāo)簽：充電器脈沖氮化鎵 1463 0

氮化鎵新技術(shù)突破！

N極性GaN HEMT是目前業(yè)界的研究熱點(diǎn)。

2022-12-02 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 1222 0

搭載下一代高速GaNFast氮化鎵功率芯片發(fā)布

作為Redmi Note 12系列的重頭戲，Redmi Note 12探索版配備了210W“神仙秒充”，在等效4300mAh電池下，5分鐘就能充至66%...

2022-12-02 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1386 0

鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案

普通消費(fèi)者，甚至對(duì)氮化鎵了解不多的工程師，普遍認(rèn)為氮化鎵只能實(shí)現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實(shí)，因?yàn)樵鰪?qiáng)型氮化鎵目前只有QFN/DFN和T...

2022-11-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1925 0

氮化鎵悄然滲透，掘金電動(dòng)兩輪車(chē)市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）自電動(dòng)兩輪車(chē)新國(guó)標(biāo)落地后，行業(yè)迎來(lái)產(chǎn)業(yè)躍遷的新機(jī)遇。據(jù)中國(guó)自行車(chē)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2020年電動(dòng)兩輪車(chē)市場(chǎng)交易金額達(dá)1046億元，增...

2022-11-24 標(biāo)簽：氮化鎵 2369 0

廣州企業(yè)發(fā)布6英寸900V硅基氮化鎵外延片

該外延片專(zhuān)為新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)發(fā)，完全自主可控。

2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 1758 0

納微半導(dǎo)體助?摩托羅拉X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充

作為摩托羅拉的最新旗艦?機(jī)，X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器，采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是，...

2022-11-15 標(biāo)簽：摩托羅拉氮化鎵納微半導(dǎo)體 1287 0

功率半導(dǎo)體日本有優(yōu)勢(shì)，中國(guó)大舉投資

用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體以純電動(dòng)汽 用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化...

2022-11-11 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 1025 0

第三代半導(dǎo)體GaN商業(yè)化的里程碑

憑藉在第三代半導(dǎo)體GaN制造方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí)、強(qiáng)大科研技術(shù)團(tuán)隊(duì)及研發(fā)能力，宏光半導(dǎo)體近年積極實(shí)現(xiàn)相關(guān)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。集團(tuán)之技術(shù)團(tuán)隊(duì)利用其豐富經(jīng)驗(yàn)，在短短三個(gè)月調(diào)...

2022-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1235 0

一文讀懂半導(dǎo)體大硅片

單晶硅錠經(jīng)過(guò)切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保...

2022-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 6959 0

風(fēng)能發(fā)電中的碳化硅與IGBT對(duì)比分析

SiC MOSFET被推廣為使用IGBT的現(xiàn)有設(shè)計(jì)的絕佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆變器和風(fēng)力渦輪機(jī)>1000 V應(yīng)用的支柱，提供中速開(kāi)關(guān)。

2022-11-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵 3357 0

第三代半導(dǎo)體的特點(diǎn)與選型要素

第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車(chē)以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換...

2022-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2309 0