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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當前發(fā)展最成款的競禁帶半導體材料,世界各國對氮化鎵的研究重視,美歐日等不僅從國家層面上制定了相應的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大...
2023-02-03 標簽:氮化鎵 1575 0
近年來,隨著移動設備的普及和科技的不斷進步,人們對于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。
納微半導體CTO登場SEMICON Taiwan 2021大會,介紹氮化鎵技術
氮化鎵(GaN)是下一代半導體技術,它的器件開關速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
格芯收購Tagore氮化鎵技術,加速GaN功率元件市場創(chuàng)新與發(fā)展
美國領先的純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)于本周一宣布了一項重要戰(zhàn)略舉措,成功收購了Tagore公司專有的、經(jīng)過生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵(...
蘇州高新區(qū)與水芯電子合作簽約儀式暨水芯與Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會開幕!
9月20日,蘇州高新區(qū)水芯電子合作簽約儀式暨水芯電子Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會在江蘇蘇州日航酒店成功舉辦。會議主要就消費類電子領域首次采用水芯數(shù)字電...
RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3
日前,高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932,這種無與倫...
GaN器件是平面器件,與現(xiàn)有的Si半導體工藝兼容性強,因此更容易與其他半導體器件集成,進一步降低用戶的使用門檻,并在不同應用領域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢,很有...
意法半導體與臺積電攜手合作,提高氮化鎵產(chǎn)品市場采用率
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,與傳統(tǒng)的硅功率半導體相比,優(yōu)勢十分明顯,例如,在大功率工作時能效更高,使寄生功率損耗大幅降低。
北京冬奧會實現(xiàn)核心信息系統(tǒng)100%云上運行
當不同行業(yè)數(shù)字化程度趨于成熟,智慧城市雛形初現(xiàn)。2022北京冬奧會通過引進智慧城市多種產(chǎn)品與模式,打造出微縮版城市空間,為全球展示著未來各個領域的可能樣...
技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),今天發(fā)布了新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器,為快速增長的有線電...
APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今天宣布推出內(nèi)部...
RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵...
科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件,助力大型雷達加速發(fā)展
有源電子掃描陣列(AESA)系統(tǒng)愈來愈受到研發(fā)的青睞,該系統(tǒng)主要運用于大型機載平臺上,同時在陸地和海事細分市場也有采用。
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性,例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。
康佳欲加快Micro LED芯片研發(fā) 并以氮化鎵技術為突破
近日,康佳一則招募氮化鎵工程師的官方啟事引發(fā)業(yè)界高度關注。康佳副總裁李宏韜在接受記者采訪時解釋,招募氮化鎵工程師是希望加快推進康佳在Micro LED芯...
納微半導體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級閃充上市
? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者 — 納微半導體...
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