碳化硅與氮化鎵器件的特點(diǎn)差異

　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 2077 0

氮化鎵芯片市場(chǎng)份額分析 氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件分類

中國(guó)氮化鎵芯片市場(chǎng)占據(jù)全球約 %的市場(chǎng)份額，為全球最主要的消費(fèi)市場(chǎng)之一，且增速高于全球。2021年市場(chǎng)規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 %。

2023-02-05 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 4678 0

氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別 氮化鎵芯片國(guó)內(nèi)三巨頭

氮化鎵是目前全球最快功率開關(guān)器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。

2023-02-05 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵開關(guān)器件 2.4萬(wàn) 0

碳化硅與氮化鎵器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

　　幾十年來(lái)，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復(fù)合半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出來(lái)，具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的財(cái)產(chǎn)。例如，利用化合物半導(dǎo)體，開發(fā)了...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 707 0

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc...

2023-02-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 2548 0

氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀

氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當(dāng)前發(fā)展最成款的競(jìng)禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)氮化鎵的研究重視，美歐日等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 1574 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時(shí)代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 2713 0

氮化鎵前景怎么樣

氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 1214 0

什么是氮化鎵技術(shù)

什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 3463 0

氮化鎵功率器件的技術(shù)路線

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-01-29 標(biāo)簽：氮化鎵功率器 4888 0

天科合達(dá)談八英寸SiC

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn)，采用物理氣相傳輸(physical...

2023-01-17 標(biāo)簽：SiC氮化鎵 2538 0

GaN紫外傳感器的6中類型介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm，對(duì)可見光無(wú)響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...

2023-01-12 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 1165 0

SGM48520榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

SGM48520 是一款單通道低邊氮化鎵（GaN）晶體管驅(qū)動(dòng)器，獨(dú)立可配置的開通和關(guān)斷驅(qū)動(dòng)通道，具有最大 6A 拉電流和 4A 灌電流的輸出能力。芯片集...

2023-01-09 標(biāo)簽：氮化鎵圣邦微電子 1220 0

基于氮化鎵光電集成芯片的微型光纖曲率傳感器

近些年，輕量化、低成本和小型化的曲率傳感器在呼吸監(jiān)測(cè)、關(guān)節(jié)角度評(píng)估和運(yùn)動(dòng)頻率測(cè)量等人體運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)領(lǐng)域廣受關(guān)注。尤其是基于光纖的曲率傳感器，因其成本低、耐腐...

2023-01-05 標(biāo)簽：傳感器led氮化鎵 2750 0

二三極管在65W快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

據(jù)了解，市場(chǎng)上的65W快充產(chǎn)品可能的BOM表有電源控制芯片、升降壓轉(zhuǎn)換器、快充協(xié)議芯片、變壓器、光耦、二極管、三極管、MOS管、整流橋、電阻、電感、電容...

2022-12-22 標(biāo)簽：變壓器三極管氮化鎵 1394 0

準(zhǔn)備取代Mini ISO的超緊湊型繼電器

? 全球繼電器銷售額呈現(xiàn)整體增長(zhǎng)趨勢(shì)，主要得益于汽車、家用電器、工業(yè)控制等傳統(tǒng)下游市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)，以及新能源、人工智能（AI）、智能制造等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)...

2022-12-20 標(biāo)簽：繼電器氮化鎵光通信 811 0

碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍

與硅相比，SiC和GaN（不僅作為寬帶隙半導(dǎo)體，而且作為材料本身）在品質(zhì)因數(shù)（εμeEc3）方面顯示出其出色的性能水平：SiC高440倍，GaN高1130倍。

2022-12-16 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 4072 0