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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Nexperia第二代650V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2kW或更高功率下運(yùn)行
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件
在最近的IEDM大會(huì)上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器英特爾 1632 0
氮化鎵組件2015年~2021年的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)83%
由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用,其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率,因此Yole預(yù)估,氮化鎵組件2015年~2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%,其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性:氮化鎵(GAN)具有...
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧
8月29日-31日,上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱PCIM Asia)在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì),本屆...
7月31日,是世界氮化鎵日。在這個(gè)充滿探索與突破的時(shí)代,氮化鎵憑借其卓越的特質(zhì)和廣袤的應(yīng)用維度,化作科技領(lǐng)域的一顆冉冉升起的新星。氮化鎵的登場(chǎng),給電子行...
前言本期為大家?guī)?lái)的是TORRAS圖拉斯旗下小冰塊快充系列一款新品——圖拉斯45W小冰塊充電器CQ14的拆解,其延續(xù)小冰塊系列小巧精美專利外觀設(shè)計(jì),同時(shí)...
構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用
半導(dǎo)體p-n結(jié)二極管是構(gòu)建光電器件的基本單元之一。然而,傳統(tǒng)p-n結(jié)二極管在某種程度上受到電流整流行為的限制,這使得載流子的調(diào)控性受到影響
本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。
關(guān)于NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理
最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm 的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱阻和...
下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT
納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEEE IEDM 2021)上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...
當(dāng)我們?yōu)殡妱?dòng)汽車(EV)電源管理技術(shù)發(fā)明更高效的集成電路,我們的客戶就可以設(shè)計(jì)出更高效、更經(jīng)濟(jì)實(shí)用的汽車,進(jìn)而減少?gòu)U氣排放,保護(hù)環(huán)境。 許多駕駛員因里程...
2021-01-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車控制器氮化鎵 1593 0
這款氮化鎵充電樁的外觀采用機(jī)甲身型設(shè)計(jì),并進(jìn)行了金屬磨砂噴漆處理,內(nèi)嵌了燈帶,通過不同顏色的燈光狀態(tài)來(lái)顯示充電進(jìn)度:綠燈常亮表示已充滿,綠燈閃爍表示充電...
富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣佈,成功透過硅基板氮化鎵(GaN)功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率,并擴(kuò)大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)低...
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌,四季度可交付樣品
7 月 5 日消息,英飛凌德國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間 7 月 3 日宣布,其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌,首批樣品將于 2025 年...
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