半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵

來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中...

2023-02-17 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵GaN 3507 0

氮化鎵(GaN)是什么

氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在...

2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

淺談功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況，增長(zhǎng)勢(shì)頭過于強(qiáng)勁

Hanebeck曾提到英飛凌準(zhǔn)備斥資數(shù)十億歐元進(jìn)行收購(gòu)。整合是我們?cè)谶^去幾年中觀察到的市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)。特別是在寬帶隙半導(dǎo)體材料供應(yīng)方面，特別是碳化硅 (SiC)。

2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 625 0

VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路

因此，VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN（直接驅(qū)動(dòng)耗盡型氮化鎵）半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用?？焖匍_關(guān)應(yīng)用中需...

2023-02-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體大功率氮化鎵 1148 0

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對(duì)硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 8729 0

淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)

氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。

2023-02-14 標(biāo)簽：氮化鎵發(fā)光器件功率晶體管 844 0

碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵的區(qū)別在哪里？

硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米。 硅基氮化鎵器件...

2023-02-12 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 2612 0

氮化鎵對(duì)新能源汽車有什么影響

氮化鎵（GaN）作為現(xiàn)在重要的第三代半導(dǎo)體材料，具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，能夠...

2023-02-10 標(biāo)簽：新能源氮化鎵電池 1274 0

南芯科技推出PD3.1 140W單口/多口快充解決方案

USB PD3.1 能夠迅速商業(yè)化，離不開蘋果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月蘋果發(fā)布的16 英寸MacBook Pro，成為全球首款支持US...

2023-02-09 標(biāo)簽：usb氮化鎵 3014 0

氮化鎵前景怎么樣啊 氮化鎵用途有哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵射頻器件 3468 0

納微關(guān)于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況

目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。

2023-02-06 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片 879 0

氮化鎵充電器的主要優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

　　第三代半導(dǎo)體具有較高的熱導(dǎo)率、電子飽和率、擊穿電場(chǎng)、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛(wèi)星、汽車、雷達(dá)、工業(yè)、...

2023-02-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體氮化鎵 2.2萬(wàn) 0

氮化鎵對(duì)比普通充電器有哪些優(yōu)勢(shì)

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管激光二極管 2512 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2648 0