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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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羅姆半導體（上海）有限公司市場宣傳課高級經(jīng)理張嘉煜表示，羅姆擁有世界先進的碳化硅及氮化鎵技術(shù)，打造了高效處理電力的功率半導體器件，面向汽車、工業(yè)設(shè)備等應(yīng)...
借助 GaN，智能手機制造商可以制造外殼尺寸更小且性價比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導致每瓦美元更...
近年來，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場拓展打開全新空間，氮化鎵智能插...
UE Electronic即將推出新型氮化鎵智能插座，全方位展現(xiàn)品質(zhì)高端、時尚性能
人們消費需求追求個性化、多樣化、品質(zhì)化，“品質(zhì)+時尚”的消費日益走俏，消費場景更加多元，智能插座市場規(guī)模不斷擴大，新型智能插座將掀起消費升級的浪潮。UE...
氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商晶通半導體授權(quán)世強硬創(chuàng)代理
近日，世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導體”)簽署...
中瓷電子購買博威公司/國聯(lián)萬眾股權(quán)獲深交所受理
據(jù)悉，本次募集配套資金擬在支付本次重組相關(guān)費用后投入氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項目、第三代半導體工藝及封測...
由世紀電源主辦的第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在論壇同期舉辦的 2022 電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會評選中，Nexper...
英飛凌收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems，仍有數(shù)十億歐元并購金
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）北京時間3月3日，英飛凌官宣收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems，交易總值8.3億美元現(xiàn)金，約合57億元人民幣。 ...
什么是氮化鎵半導體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？
氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 標簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 1117 0
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動MTCD-mode GaN F...
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作
IN3261G+IN1305M PD 30W內(nèi)置氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡潔的30W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM 反激式控制...
2023-03-01 標簽：開關(guān)電源PD氮化鎵 1897 0
納微半導體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級閃充上市
? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者 — 納微半導體...
關(guān)于氮化鎵功率器件的產(chǎn)品預(yù)覽
在PD快充領(lǐng)域推出了DFN系列產(chǎn)品，在電源適配器領(lǐng)域推出了TO系列產(chǎn)品，在工業(yè)領(lǐng)域則針對高頻與高可靠性的需求，推出了PIIP系列產(chǎn)品。
與傳統(tǒng)硅相比，這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處，包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運行能力。
該功率半導體在已有的金剛石半導體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容。
氮化鎵（GaN）是極具潛力的第三代半導體，廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制，特別是在器...
氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長，因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無晶圓廠，這在一...
根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球GaN 功率器件營收規(guī)模約為 1.66 億美元，其中消費類電子市場為0.95億美元，通信與數(shù)據(jù)中...
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