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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Mojo Vision開發(fā)300mm藍(lán)色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓
Mojo Vision 表示，Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢，這對于擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車、消費(fèi)電子和高...
新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產(chǎn)
新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用...
英諾芯半導(dǎo)體IN3261G+IN1305M :33W氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？
GaN 通過實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率，在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號，使其成為 5G 基站...
2023-05-15 標(biāo)簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 686 0
永銘電子導(dǎo)電性電容在采用氮化鎵的AC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用
隨著氮化鎵技術(shù)的逐漸成熟，越來越多的AC/DC轉(zhuǎn)換器采用氮化鎵作為開關(guān)元件，以取代傳統(tǒng)的硅元件。在這種新技術(shù)的應(yīng)用中，導(dǎo)電性電容器也扮演著重要的角色。
2023-05-10 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器DC氮化鎵 1221 0
高頻驅(qū)動下的第三代半導(dǎo)體服務(wù)器電源對磁性材料提出了高頻、低損耗要求。本期對話通過行業(yè)內(nèi)權(quán)威教授、服務(wù)器電源廠商、磁性元器件廠商、磁芯廠商以及線材廠商的對...
氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性，氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，如LED照明、電力電子、無線通信、智能家...
現(xiàn)代生活離不開手機(jī)，但是低效率和漫長的充電時間卻讓人煩惱不已?，F(xiàn)在，有一種新型的氮化鎵充電器能夠解決這些問題。氮化鎵充電器采用了最新的半導(dǎo)體材料技術(shù)，使...
隨著電動汽車和無人機(jī)等高功率設(shè)備的快速發(fā)展，對快速、高功率和高效的充電需求也越來越高。而氮化鎵充電器作為一種新興的半導(dǎo)體材料，可以幫助滿足這些需求。在本...
MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗，提升...
介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況
Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對推動Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案
氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 標(biāo)簽：氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片 733 0
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費(fèi)電子領(lǐng)域的新寵，應(yīng)用范圍也越來越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的...
GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點(diǎn)及優(yōu)勢
GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件，具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗、高的開關(guān)速度和可靠性。其特點(diǎn)和優(yōu)勢如下：1. 低導(dǎo)通電阻...
65W快充是目前快充市場出貨的主流規(guī)格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗，提升開關(guān)頻率，附...
氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密...
2023-04-19 標(biāo)簽：氮化鎵 1134 0
來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高...
近幾年，隨著手機(jī)等電子產(chǎn)品的普及，人們對于快速充電的需求越來越高。在這樣的趨勢下，愛美雅電子推出了一款性能卓越的65W氮化鎵快充方案，其高效、安全、快速...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體...
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