氮化鎵和碳化硅的結(jié)構(gòu)和性能有何不同

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)樗鼈?..

2023-10-07 標(biāo)簽：MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 1979 0

氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成...

2023-02-07 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體材料氮化鎵 1966 0

全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布，輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)的功率需求

納微氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì)電源能在最小尺寸下，為每個(gè)搭載AI GPU的機(jī)柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...

2024-07-26 標(biāo)簽：電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1951 0

5G性能爆發(fā)突破口 RF GaN蓬勃發(fā)展

RF GaAs模具市場(chǎng)將從2019年的28億美元左右增長(zhǎng)到2025年的36億美元以上。這一市場(chǎng)是由5G和Wi-Fi6手機(jī)應(yīng)用需求的增長(zhǎng)推動(dòng)的。

2021-01-04 標(biāo)簽：射頻SiC氮化鎵 1936 0

GaN和SiC熱管理的進(jìn)展

電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢(shì)以及對(duì)功率密度的需求不斷增加，將熱管理問題置...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1911 0

半導(dǎo)體市場(chǎng)剛起步誰(shuí)能成為下個(gè)勝利者？

過(guò)去30年，臺(tái)積電、聯(lián)電擅長(zhǎng)制造的邏輯IC，基本上都是以硅做為材料。「硅基本上是一種相當(dāng)全能的材料?！构ぱ性寒a(chǎn)業(yè)科技國(guó)際策略發(fā)展所研究總監(jiān)楊瑞臨觀察。

2021-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1906 0

采用氮化鎵FET的下一代工業(yè)電源

電動(dòng)汽車的日益普及正在改變行業(yè)，對(duì)緊湊輕巧的電源管理解決方案的強(qiáng)烈需求同時(shí)又不影響車輛性能。同時(shí)，設(shè)計(jì)更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...

2022-08-05 標(biāo)簽：電源驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1890 0

大聯(lián)大推出基于InnoGaN產(chǎn)品的1KW DCDC電源模塊方案

2024年1月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ...

2024-01-18 標(biāo)簽：功率放大器晶體管氮化鎵 1889 0

氮化鎵集成方案如何提高功率密度

GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強(qiáng)型（e-mode）、共源共柵型（cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的柵極驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)要求。

2022-03-31 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵功率密度 1883 0

GaN氮化鎵的4種封裝解決方案

GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn)，與硅晶圓相比在封裝過(guò)程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過(guò)程最易出現(xiàn)的問題。同時(shí)，Ga...

2023-11-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝氮化鎵 1880 0