納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充

加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NV...

2024-06-21 標(biāo)簽：聯(lián)想氮化鎵納微半導(dǎo)體 2158 0

氮化鎵是用來做什么的，它有什么特點(diǎn)呢？

氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場(chǎng)效電晶體(MOSFET)

2023-09-12 標(biāo)簽：ledMOSFET氮化鎵 2148 0

【芯聞精選】穩(wěn)懋加碼投資建廠，預(yù)計(jì)三年后量產(chǎn)；大眾汽車宣布將自研高性能芯片

2021年90期 產(chǎn)業(yè)新聞 ? 長(zhǎng)電科技完成50億元定增項(xiàng)目，進(jìn)一步提升芯片成品制造能力 ? 5月8日消息 電科技近日發(fā)布公告稱，公司完成定增募資約50...

2021-05-09 標(biāo)簽：氮化鎵大眾穩(wěn)懋 2137 0

合封氮化鎵芯片是什么

合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體...

2023-04-11 標(biāo)簽：芯片氮化鎵合封 2113 0

GaN晶體管的高級(jí)優(yōu)勢(shì)是什么

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅 (Si)，因?yàn)樗馁Y源豐富且價(jià)格實(shí)惠。然而，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...

2022-07-29 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 2110 0

GaN越來越重要的原因有哪些

在早前于四川成都舉辦的 2021 中國(guó)西部微波射頻技術(shù)研討會(huì)上，Qorvo 基礎(chǔ)建設(shè)事業(yè)部高級(jí)銷售經(jīng)理 Kevin He 發(fā)表了一個(gè)題為《基于5G 基站...

2021-08-13 標(biāo)簽：氮化鎵5GQorvo 2102 0

紫米上架可兼容蘋果的33WGaN充電器

隨著手機(jī)充電技術(shù)的迅猛發(fā)展，快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配，不少手機(jī)廠商還將“百瓦級(jí)”快充作為自家旗艦的宣傳亮點(diǎn)。

2021-03-01 標(biāo)簽：充電器連接器氮化鎵 2095 0

Power Integrations榮獲“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”

Power Integrations，憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場(chǎng)表現(xiàn)，榮獲了“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)Power Int...

2024-01-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 2089 0

納微半導(dǎo)體迅速擴(kuò)張芯片出貨量創(chuàng)歷史新高

納微半導(dǎo)體正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場(chǎng)成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障，反應(yīng)了全球移動(dòng)消費(fèi)電子市場(chǎng)正加速采用氮...

2021-02-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 2087 0

小米上架55W氮化鎵GaN充電器

近日，小米上架了兩款充電器，一個(gè)是小米充電器120W秒充版，售價(jià)249元，另一個(gè)是小米氮化鎵GaN充電器55W，售價(jià)99元。兩款充電器均附送數(shù)據(jù)線。

2021-01-29 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 2084 0

全球領(lǐng)先！納微半導(dǎo)體氮化鎵芯片出貨量超1300萬顆

納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場(chǎng)成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。

2021-01-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率IC納微半導(dǎo)體 2082 0

碳化硅與氮化鎵器件的特點(diǎn)差異

　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 2077 0