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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN場效應(yīng)晶體管（FET）器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作，因此設(shè)計(jì)人員可以更輕松地在窄帶放大器...
氮化鎵充電器方案之多口協(xié)議IP2726 A+C共享方案
英集芯廠家推出一款I(lǐng)P2726改進(jìn)版本，可以很好地解決此類問題，具體型號為IP2726_BS1的多口協(xié)議芯片，在氮化鎵充電器方案中的A+C共享方案采樣電...
基于InnoGaN ISG3201和INN040LA015A 設(shè)計(jì)的1KW DCDC電源模塊方案
繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后，英諾賽科又推出一款1000W 方案，利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點(diǎn)，配合磁集成方案...
2023-08-05 標(biāo)簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2437 0
CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...
面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 e...
Anker新推出的240W臺式USB-C充電器可以為16英寸MacBook Pro快速充電
該系列還包括對去年P(guān)owerCore 24K電池組的更新 —— 現(xiàn)在有了更大的27650mAh電池組。新的250瓦Anker Prime充電除了更強(qiáng)大之...
GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)是什么？ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件
如今，開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢？ 我們發(fā)現(xiàn)，氮化鎵...
2023-08-03 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 553 0
GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國電動車應(yīng)用市場
【中國上海 – 2023 年8 月3 日】 氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)...
2023-08-03 標(biāo)簽：氮化鎵 608 0
納微半導(dǎo)體：氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn)，抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用
早前，納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)...
商務(wù)部、海關(guān)總署決定對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制開始生效
今天是2023年8月1日，是偉大的中國人民解放軍的建軍節(jié)，也是中華人民共和國經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，商務(wù)部、海關(guān)總署決定對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制開始生效的日子...
無線充電在技術(shù)行業(yè)中變得越來越普遍，提供了一種更方便的設(shè)備充電方式，而無需使用電纜或插頭。隨著技術(shù)的進(jìn)步，由于氮化鎵（GaN）功率器件的使用，無線充電變...
大大減少體積及損耗！羅姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅來襲
為進(jìn)一步滿足消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出的更高節(jié)能要求，以實(shí)現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展，羅姆開發(fā)出集650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Pow...
兆馳購買瑞谷光網(wǎng)55%股權(quán)意欲何為？
7月26日，兆馳股份發(fā)布公司購買股權(quán)的公告。
羅姆進(jìn)軍650V氮化鎵，發(fā)布EcoGaN Power Stage IC！集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動器
氮化鎵功率器件多用于充電器領(lǐng)域，出貨量很大。并陸續(xù)擴(kuò)展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應(yīng)用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage...
近日，氮化鎵行業(yè)新增了4個項(xiàng)目，涉及單晶襯底、器件等環(huán)節(jié)。
氮化鎵芯片爆發(fā)式出貨，國內(nèi)外廠商2023新品不斷，向汽車及工業(yè)應(yīng)用邁進(jìn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）2018年開始氮化鎵被引入快充充電器，為充電器工廠提供了巨大的發(fā)展空間，大批的傳統(tǒng)充電器廠商紛紛轉(zhuǎn)戰(zhàn)氮化鎵市場。隨著蘋果推出...
2023-07-21 標(biāo)簽：氮化鎵 3668 0
第三代半導(dǎo)體后起之秀：氮化鎵未來幾大新的增長點(diǎn)
比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動態(tài)特性實(shí)測
在此方向上，青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體（GaNPower）」（以下簡稱「量芯微」）在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn)，...
三星電子進(jìn)軍氮化鎵市場 氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場？
根據(jù)韓國媒體 BusinessKorea 報(bào)導(dǎo)，三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 （GaN）市場，目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。
三星進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工市場，各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業(yè)快報(bào)
報(bào)道強(qiáng)調(diào)，隨著全球消費(fèi)電子、電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級和需求成長，功率半導(dǎo)體的價(jià)格一直在上漲。因此，市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體...
2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN半導(dǎo)體代工 974 0
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