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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

什么是氮化鎵？有哪些應(yīng)用？

現(xiàn)在的充電器與幾年前的充電器相比，體積上大幅縮減，而充電速度卻實(shí)現(xiàn)了十幾倍的飛躍式提升。這其中究竟隱藏著怎樣的奧秘呢?

2024-11-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2553 0

宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET

2011-03-18 標(biāo)簽：FET 氮化鎵宜普 2550 0

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案

2022年4月19日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技（Diodes）AP3306、APR34...

2022-04-19 標(biāo)簽：大聯(lián)大電源適配器氮化鎵 2550 0

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc...

2023-02-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 FET 氮化鎵 2548 0

天科合達(dá)談八英寸SiC

本實(shí)驗(yàn)通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn)，采用物理氣相傳輸(physical...

2023-01-17 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 2538 0

羅姆進(jìn)軍650V氮化鎵，發(fā)布EcoGaN Power Stage IC！集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器

氮化鎵功率器件多用于充電器領(lǐng)域，出貨量很大。并陸續(xù)擴(kuò)展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應(yīng)用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage...

2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵羅姆 2537 0

鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域？

中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制，短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮，遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶，推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2536 0

氮化鎵和MMIC及射頻SoC推動(dòng)5G無線更快發(fā)展

在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。

2018-11-24 標(biāo)簽：射頻無線氮化鎵 2534 0

?國(guó)內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線正式投產(chǎn)

由于技術(shù)門檻較高，只有國(guó)際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問題， 2020年9月，颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新...

2023-04-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器氮化鎵 2526 0

半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵（GaN）是何物？

氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡(jiǎn)單了...

2023-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 2522 0

Anker新推出的240W臺(tái)式USB-C充電器可以為16英寸MacBook Pro快速充電

該系列還包括對(duì)去年P(guān)owerCore 24K電池組的更新 —— 現(xiàn)在有了更大的27650mAh電池組。新的250瓦Anker Prime充電除了更強(qiáng)大之...

2023-08-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 Anker 2519 0

氮化鎵對(duì)比普通充電器有哪些優(yōu)勢(shì)

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管激光二極管 2512 0

羅姆第4代SiC MOSFET，三大優(yōu)勢(shì)凸顯！

羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司市場(chǎng)宣傳課高級(jí)經(jīng)理張嘉煜表示，羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅及氮化鎵技術(shù)，打造了高效處理電力的功率半導(dǎo)體器件，面向汽車、工業(yè)設(shè)備等應(yīng)...

2023-03-10 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵羅姆 2504 0

65W氮化鎵（GaN)充電頭PD快充方案

65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時(shí)間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開關(guān)頻率，附...

2023-04-20 標(biāo)簽：充電器 PD 氮化鎵 2490 0

納微半導(dǎo)體：氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn)，抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用

早前，納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí)，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)...

2023-08-01 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 2488 0

電友X21氮化鎵充電器

現(xiàn)在手機(jī)的充電速度越來越快，同時(shí)配套充電器的體積也越來越大，好在氮化鎵充電器逐漸普及，大大縮小了充電器的體積，而且適用范圍也越來越廣，隨著技術(shù)的成熟，今...

2020-11-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充技術(shù) 2486 0

矽力杰合封氮化鎵芯片在多家廠商中實(shí)現(xiàn)規(guī)?；逃?/a>

氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，通過降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通阻抗，提高效率，降低發(fā)熱，減小了快充充電器的體積。

2022-09-28 標(biāo)簽：芯片適配器氮化鎵 2454 0

氮化鎵功率晶體管及其集成電路的發(fā)展?fàn)顩r

引言：氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一,因其優(yōu)越的性能,例如高電子遷移率、高電子飽和速率、耐高溫及高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)吸引了越來越多的關(guān)注,也正是因...

2023-02-13 標(biāo)簽：集成電路晶體管氮化鎵 2446 0

三安半導(dǎo)體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元

2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。公告顯示，根據(jù)三安光電...

2021-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2442 0

基于InnoGaN ISG3201和INN040LA015A 設(shè)計(jì)的1KW DCDC電源模塊方案

繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后，英諾賽科又推出一款1000W 方案，利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點(diǎn)，配合磁集成方案...

2023-08-05 標(biāo)簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2437 0

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