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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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這里將建成國際前三的氮化鎵單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地
1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“納維科技”）總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。 項(xiàng)目占地面積超14000平方米，總建筑面積超34000平方米...
充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了智融推出的65W餅干氮化鎵快充方案，這款方案采用了智融推出的初級主控芯片和降壓協(xié)議芯片，為固定電壓輸出，搭配二次降壓電路實(shí)現(xiàn)多口快充，...
氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化...
2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 2713 0
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵晶體管的VIPer器件介紹
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵viper 2705 0
RF GaN領(lǐng)導(dǎo)廠商及新入局者的戰(zhàn)略和技術(shù)路線
Knowmade分析師檢索、篩選并分析了全球范圍內(nèi)截至2020年8月公布的6300多項(xiàng)專利，包括了500多個不同專利申請人提交的3000多個發(fā)明專利家族...
介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況
Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對推動Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電...
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...
9月4日，聚燦光電發(fā)布關(guān)于子公司簽署《投資合同書》的公告，將總投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片等產(chǎn)品。 公告顯示，聚燦光電...
中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...
氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...
2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2648 0
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動芯片可以驅(qū)動嗎？ 當(dāng)涉及到驅(qū)動氮化鎵（GaN）MOS管時，需要考慮多個因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常...
日前，紫米公司發(fā)布致歉公告，表示ZMI 33W氮化鎵充電器，因不可抗力原因?qū)е聼o法如期上市，具體日期待定中，更新進(jìn)度會及時告與大家，望理解體諒。
上周日，問天實(shí)驗(yàn)艙由長征5號B遙三運(yùn)載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實(shí)驗(yàn)艙這個當(dāng)今世界上現(xiàn)役最大的單體載人航天艙段送上...
2022-08-01 標(biāo)簽：氮化鎵衛(wèi)星系統(tǒng)空間站 2641 0
硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件...
EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺， 旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng) 和加快產(chǎn)品
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Ta...
GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...
對于經(jīng)常有出差需求的筆者來說，Macbook是必須隨身攜帶的，至于手機(jī)自然也是不可或缺的機(jī)不離身，有時還會擔(dān)心行程時間太久遠(yuǎn)，帶上HiFi播放器一路上聽...
氮化鎵射頻開關(guān)在高功率射頻設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
然而，一個諧波濾波器需要一個保護(hù)帶，以達(dá)到對帶內(nèi)頻率低端的二次諧波的最小抑制要求。例如，如圖2所示，第一個頻段不能是30至60MHz，或一個倍頻程，因?yàn)?..
2022-09-20 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵射頻開關(guān) 2572 0
第16屆“中國芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦
大會同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動后摩爾時代發(fā)展”為主題，邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇...
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