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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有...
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的應用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
功率半導體商納微半導體明天發(fā)布2023年第三季度財務業(yè)績召開電話會議
? ?納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）將于美東時間2023年11月9日星期四股市收市后，公布2023年第三季度財務業(yè)績。納微半導體管理層將召開電...
氮化鎵是一種寬帶隙半導體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時具有更高...
GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？
GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？GaN驅(qū)動電路有哪些設計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電...
應用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢？
GaN為何物？應用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導體材料...
南海區(qū)科學技術(shù)局領(lǐng)導蒞臨國星半導體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片
? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學技術(shù)局局長薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...
納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導...
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了...
譽鴻錦半導體媒體開放日，現(xiàn)場見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命
譽鴻錦半導體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動，就兩周前行業(yè)發(fā)布會上提出的”Super IDM“做了現(xiàn)場產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導體行業(yè)...
高中低壓全品線布局！一家快速發(fā)展的國產(chǎn)氮化鎵IDM芯片廠商
據(jù)了解，致能科技成立于2018年，專注于寬禁帶半導體氮化鎵功率器件在電力電子領(lǐng)域的應用。近年來，公司的發(fā)展勢頭愈發(fā)亮眼，已研發(fā)出了650V、900V系列...
Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC
新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...
基于氮化鎵和平面磁性等最新電力電子技術(shù)，新型電源可為工業(yè)應用節(jié)省高達58%的電路板空間。 COSEL 的 TE 系列是用于工業(yè)應用的新一代高度緊湊型電源...
雖然氮化鎵的HEMT器件相對碳化硅來說起步晚了點，但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢頭非常迅猛，所以對于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說，評測氮化鎵器件的緊迫性也...
氮化鎵（GaN）是第三代半導體材料，其運行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，可以實現(xiàn)遠遠超...
Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoS...
Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布全球額定...
譽鴻錦半導體媒體開放日，現(xiàn)場見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命
譽鴻錦半導體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動，就兩周前行業(yè)發(fā)布會上提出的”SuperIDM“做了現(xiàn)場產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導體行業(yè)資...
GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件?？梢燥@著降低功率損耗和散熱負載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域，可...
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