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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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國(guó)產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破,1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢(shì)?
眾所周知,GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們?cè)陂_關(guān)操作期間的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加,這會(huì)影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
2023-11-22 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件 2178 0
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎?
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎? 當(dāng)涉及到驅(qū)動(dòng)氮化鎵(GaN)MOS管時(shí),需要考慮多個(gè)因素,包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常...
2023-11-22 標(biāo)簽:MOS管氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 2642 0
氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎? 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件,被廣泛應(yīng)用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。對(duì)于氮化鎵激光器芯片的清潔維護(hù)非...
雖然氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段,它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域??紤]到其高功率密度和效率,氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...
2023-11-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 871 0
11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...
2023-11-22 標(biāo)簽:氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1188 0
氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,如通信、雷達(dá)...
氮化鎵充電器傷電池嗎?氮化鎵充電器怎么選? 氮化鎵(GaN)充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比,氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢(shì),比如高...
氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別?
氮化鎵充電器什么意思?氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么? 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵(GaN)材料制造的充電器。GaN是一種新...
GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn),與硅晶圓相比在封裝過程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感,芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時(shí),Ga...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,...
智佳能第三代氮化鎵分容水冷一體機(jī)降本增效領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多輪的產(chǎn)能狂飆后,擴(kuò)張?jiān)鏊龠M(jìn)入調(diào)整期。但新能源動(dòng)儲(chǔ)賽道發(fā)展大勢(shì)仍為全球共識(shí),或?qū)⑷匀皇俏磥碓鏊佥^快的行業(yè)之一。
成本降低70%!國(guó)產(chǎn)高壓GaN又有新成果
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作,在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片,可開發(fā)出650V、900V、...
中國(guó)氮化嫁(GaN)代表企業(yè)及業(yè)務(wù)
第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導(dǎo)體材料,興起于二十世紀(jì)五十年代,帶動(dòng)了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、...
2023-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3332 0
芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品
2023年11月10日,溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會(huì)上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用的850V Cynthus?系...
“在2024財(cái)年第二季度,我們看到了強(qiáng)勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長(zhǎng),同時(shí),毛利率同比增長(zhǎng)了近一倍。我們對(duì)產(chǎn)品線的持續(xù)增長(zhǎng)和設(shè)計(jì)勝利感到高興,大功率設(shè)計(jì)的成...
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展...
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