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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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據(jù)晶湛半導體消息,晶湛半導體業(yè)界公認的硅氮化鎵(e -on-si)外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創(chuàng)業(yè)。國際先進的氮化鎵外延材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性,例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。
氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成C+輪數(shù)億元融資
近日,第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成C+輪數(shù)億元融資,這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來的又一融資進展。
納微半導體全速助力蔚來手機,GaNFast?氮化鎵快充提升車手互聯(lián)用戶體驗
為支撐如此強大且齊全的功能,蔚來給這款手機配備了一顆5,200mAh的大容量電池,隨手機標配的GaNFast氮化鎵快速充電器,可為該手機提供最大66W的...
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導體材料,在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬...
陳敬教授:面向功率、射頻和數(shù)字應用的氮化鎵器件技術
近日,在第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇開幕大會上,香港科技大學講席教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數(shù)字應用的氮化鎵器...
德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系統(tǒng)效率,同時縮小交流/直流消費類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...
淺析現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)中常用的半導體材料
硅是最常見的半導體材料,它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式,其中單晶硅在制造集成電路方面應用最廣泛。...
2023-11-30 標簽:半導體產(chǎn)業(yè)半導體材料氮化鎵 2205 0
GaN器件是平面器件,與現(xiàn)有的Si半導體工藝兼容性強,因此更容易與其他半導體器件集成,進一步降低用戶的使用門檻,并在不同應用領域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢,很有...
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應商 KYOCERA AVX Comp...
什么是氮化鎵合封芯片科普,氮化鎵合封芯片的應用范圍和優(yōu)點
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度...
美國政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片
隨著國防部Trusted Access Program Office(TAPO)授予的35萬美元新資金,GF計劃購買額外的工具,以擴大開發(fā)和原型設計能力...
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