氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

近日，青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚能創(chuàng)芯”）完成了一項(xiàng)重大里程碑，成功募集1.7億元人民幣的A輪融資。這一重要融資不僅為聚能創(chuàng)芯的快速發(fā)展注...

2024-01-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1241 0

安世半導(dǎo)體榮獲雙料大獎(jiǎng)，引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿

近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項(xiàng)權(quán)威大獎(jiǎng)：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)GaN功...

2024-01-03 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅安世半導(dǎo)體 1414 0

Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級(jí)封裝器件，支持多功率等級(jí)，為客戶創(chuàng)造競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

Weltrend新參考設(shè)計(jì)表明，擁有成本優(yōu)勢(shì)的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器，為客戶帶來(lái)規(guī)模經(jīng)濟(jì)以及無(wú)與倫比的氮化鎵穩(wěn)健...

2024-01-03 標(biāo)簽：氮化鎵 563 0

英諾賽科發(fā)布100V車(chē)規(guī)級(jí)GaN推進(jìn)汽車(chē)激光雷達(dá)市場(chǎng)

英諾賽科宣布推出100V車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過(guò)AEC-Q101 認(rèn)證，適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車(chē)規(guī)...

2023-12-29 標(biāo)簽：氮化鎵激光雷達(dá)英諾賽科 1478 0

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)

2023-12-28 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵 GaN 1170 0

Transphorm：氮化鎵應(yīng)用進(jìn)一步擴(kuò)展，2024年下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)將回暖

正值歲末年初之際，回顧過(guò)去的2023年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期，各大應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)表現(xiàn)并不理想。那么復(fù)盤(pán)2023年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，能夠發(fā)現(xiàn)哪些細(xì)分...

2023-12-27 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 1083 0

針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開(kāi)創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...

2023-12-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 FET 氮化鎵 1102 0

國(guó)產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場(chǎng)滲透率將上升

隨著越來(lái)越多的中國(guó)設(shè)備企業(yè)在歐美地區(qū)設(shè)立分部或基地，國(guó)產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場(chǎng)滲透率將上升。

2023-12-22 標(biāo)簽：鋰電池電源模塊氮化鎵 1651 0

在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍

氮化鎵（GaN）晶體管在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開(kāi)發(fā)有效的散熱方法。

2023-12-22 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 1675 0

2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購(gòu)案有哪些？

2023年，半導(dǎo)體市場(chǎng)的逆風(fēng)周期仍未過(guò)去，企業(yè)收并購(gòu)的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開(kāi)的信息，《中國(guó)電子報(bào)》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際收并購(gòu)案例，發(fā)現(xiàn)20...

2023-12-19 標(biāo)簽：英飛凌 eda 氮化鎵 2048 0

國(guó)星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應(yīng)用持續(xù)發(fā)力

近日，國(guó)星光電作為A級(jí)單位參編發(fā)布的《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》和《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》在行家說(shuō)2023碳化硅&...

2023-12-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵國(guó)星光電 1101 0

金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵偏置電壓 1561 0

霍爾元件的工作原理及其在低速測(cè)量中的應(yīng)用

霍爾元件的工作原理及其在低速測(cè)量中的應(yīng)用? 霍爾元件是一種常用的物理傳感器，可以測(cè)量磁場(chǎng)的強(qiáng)度和方向。它是通過(guò)霍爾效應(yīng)來(lái)工作的，霍爾效應(yīng)是指在導(dǎo)電材料中...

2023-12-18 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵霍爾元件 2355 0

Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選？

氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。

2023-12-15 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 砷化鎵 1110 0

氮化鎵助力快充小型化，聚合物鉭電容大顯身手

高功率快充在近幾年成為了充電市場(chǎng)的當(dāng)紅炸子雞。前段時(shí)間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。通過(guò)選用高功率體積小的氮化鎵芯片，搭...

2023-12-18 標(biāo)簽：鉭電容氮化鎵快充 799 0

2025年全球Micro LED市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)35億美元

Micro LED市場(chǎng)空間有望進(jìn)一步打開(kāi)。

2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 LED技術(shù)LED芯片 2231 0

意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...

2023-12-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1303 0

英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件

在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。

2023-12-14 標(biāo)簽：CMOS 驅(qū)動(dòng)器英特爾 1628 0

蘇州長(zhǎng)光華芯化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)新建項(xiàng)目奠基儀式啟動(dòng)

據(jù)悉，本項(xiàng)目計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)竣工并投入運(yùn)營(yíng)。它是省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺(tái)，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...

2023-12-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體探測(cè)器氮化鎵 1122 0

炬芯科技助力Nothing子品牌CMF首秀

先前，Nothing Phone憑借著透明后蓋機(jī)身+LED燈帶設(shè)計(jì)，引起廣泛熱議吸引了不少的熱度。

2023-12-11 標(biāo)簽：dsp 充電器氮化鎵 1057 0

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