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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在這個(gè)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時(shí)代，半導(dǎo)體市場的前景無疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料，比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，因其獨(dú)特的優(yōu)勢正成為行業(yè)...
拆解報(bào)告 | 東科助力Mentech 65W超薄氮化鎵PD實(shí)現(xiàn)快充新升級
這是你閱讀的充電頭網(wǎng)第3035篇拆解報(bào)告。前言充電頭網(wǎng)拿到了銘普光磁推出的一款超薄氮化鎵快充，這款充電器采用國標(biāo)折疊插腳，流行超薄設(shè)計(jì)，實(shí)測機(jī)身厚度僅為...
該發(fā)明的核心在于一種以氮化鎵薄膜為主要材料的氣體傳感器的制備與運(yùn)用。其制法包括：首先，通過對襯底進(jìn)行鍍膜工藝生成非晶氮化鎵薄膜，然后將其加熱至特定溫度，...
AI的盡頭或是氮化鎵？2024年多家廠商氮化鎵產(chǎn)品亮相，1200V高壓沖進(jìn)市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）氮化鎵是最新的第三代半導(dǎo)體材料，最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成，2019年開啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。...
2024-03-28 標(biāo)簽：AI氮化鎵第三代半導(dǎo)體 3677 0
四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用
來源：德州儀器 引言 隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了...
2024-03-27 標(biāo)簽：氮化鎵電子設(shè)計(jì)GaN 590 0
英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
3月11日，英飛凌科技股份公司宣布與Worksport Ltd.（Nasdaq代碼：WKSP；WKSPW）合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元
引言： 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時(shí)代對高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅（SiC）...
Odyssey半導(dǎo)體出售價(jià)值952萬美元的資產(chǎn)
作為Odyssey的核心部門之一，總面積達(dá)1萬平方英尺的半導(dǎo)體晶圓工廠配有先進(jìn)的開發(fā)與生產(chǎn)設(shè)施，致力于量產(chǎn)運(yùn)行于650V至1200V的垂直型氮化鎵場效應(yīng)...
東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出
前言消費(fèi)者在選購第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。創(chuàng)...
德州儀器正在將其多個(gè)工廠的氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達(dá)拉斯和日本會津的8英寸晶圓準(zhǔn)備設(shè)備，這將使其能夠提供...
石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，引領(lǐng)我們告別硅時(shí)代？
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這些材料，在特定的應(yīng)用領(lǐng)域（如高頻、高功率電子器件）中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域，提供硅難...
MicroLEDi籌資2500萬美元，進(jìn)軍AR眼鏡用Micro LED技術(shù)領(lǐng)域
Micledi借助已于2020年籌集到的資金，成功驗(yàn)證了在300mm晶圓上的制造工藝，同時(shí)展現(xiàn)出基于氮化鎵的藍(lán)色、綠色Micro LED光源具備與紅色光...
納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動電子、電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動力
德州儀器（TI）近日推出兩款創(chuàng)新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，旨在幫助工程師在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出，從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性...
納微半導(dǎo)體發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖
納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn)，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升
據(jù)日本研究人員報(bào)告，通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用
半導(dǎo)體p-n結(jié)二極管是構(gòu)建光電器件的基本單元之一。然而，傳統(tǒng)p-n結(jié)二極管在某種程度上受到電流整流行為的限制，這使得載流子的調(diào)控性受到影響
意法半導(dǎo)體推出靈活多變的同步整流控制器，提高硅基或氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器能效
有助于簡化工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和交流/直流適配器操作，節(jié)省電能 ? 2024 年 3 月 7 日，中國 ——意法半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控...
2024-03-11 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 1039 0
半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
氮化鎵（GaN）基材料被稱為第三代半導(dǎo)體，其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見光和紫外全波段，在光電子學(xué)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。
全球功率半導(dǎo)體市場迅猛增長：消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動
除了智能手機(jī)，通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
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