5G行情下氮化鎵（GaN）還存在哪些缺點？是下一個風口？

由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器，一時間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題，快...

2020-04-14 標簽：氮化鎵GaN功率半導體 1.7萬 1

NV612X GaNFast? 功率半導體器件的熱處理

介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個封裝增加了一個大的冷卻片，用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標簽：功率器件氮化鎵GaN 8698 1

氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈分析

隨著技術(shù)的發(fā)展，終端設(shè)備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，特別是隨著5G的即將到來，也進一步推動了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材...

2019-08-08 標簽：半導體氮化鎵 1.1萬 0

什么是氮化鎵？氮化鎵何以占據(jù)C位？

GaN在成本控制方面顯示出了更強的潛力。目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件，來替代昂貴的SiC襯底。有分析預測，到2019年Ga...

2019-05-14 標簽：半導體氮化鎵5G 2.8萬 0

氮化鎵器件和解決方案的進展與應用分析

觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業(yè)務部門總經(jīng)理）的訪談，了解氮化...

2019-08-05 標簽：adi氮化鎵 3411 0

FLOSFIA公司開發(fā)出了一種廉價制造氧化鎵晶體的方法

FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術(shù)發(fā)展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結(jié)晶的方法獲得。密度...

2019-02-26 標簽：二極管半導體氮化鎵 8781 0

基于GaN的特性，越來越多的人看好其發(fā)展的后勢

而GaN技術(shù)可以做到，因為它是目前全球最快的功率開關(guān)器件，并且可以在高速開關(guān)的情況下仍保持高效率水平，能夠應用于更小的元件，應用于充電器時可以有效縮小產(chǎn)...

2019-01-24 標簽：充電器氮化鎵半導體器件 5569 0

在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場效應晶體管

雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實調(diào)制了漏極電流（高達1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...

2018-12-13 標簽：晶圓晶體管氮化鎵 3816 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導體探測器

華南師范大學和北京大學在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導體 - 金屬（MSM）探測器。

2018-12-07 標簽：半導體氮化鎵 3984 0

5G發(fā)展帶動硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè),硅基氮化鎵應用發(fā)展廣泛

與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%，每個單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體...

2018-11-10 標簽：功率放大器氮化鎵5G 9488 0