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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
【全套國產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設(shè)計評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設(shè)計進行溫升測試，在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以 功率持續(xù)輸出1小時，測得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點出現(xiàn)在變...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品， 可以讓客戶提高整機效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
通過100V增強型氮化鎵晶體管實現(xiàn)直直變換器設(shè)計方案
在當今的架構(gòu)中，通過采用12V的背板，工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來滿足高開關(guān)頻率，傳輸高效率以及高功率密度。
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒有體二極管？
氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快...
拆解報告：SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器1A1C
SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規(guī)產(chǎn)品，采用黑色的收納盒包裝，相比同類產(chǎn)品更為精致，也可以方便用戶后續(xù)收納使用。
功率氮化鎵技術(shù)及電源應用熱管理設(shè)計挑戰(zhàn)
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場上出現(xiàn)了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方...
接下來就直接開始拆解。 將頂面外殼拆開，PCBA模塊和外殼之間的空隙注膠填充加固。 將模塊取出，充電器采用接觸式通電設(shè)計，插腳和金屬彈片壓接。 使用游標...
為什么選擇氮化鎵？淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應用
對于服務(wù)器，這通常是空調(diào)房間中的AC到12 V DC，而對于傳統(tǒng)的低功能（例如，僅語音）電信系統(tǒng)，這是遠程潮濕的“蜂窩塔”，需要AC進行“防腐蝕” ，負...
2021-03-21 標簽：電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6040 0
氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢。GaN還是高能效...
基于標準200mm Si平臺的顛覆性3D LED技術(shù)
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發(fā)了一種基于標準200mm Si平臺的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降...
工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導體比寬帶隙（WBG...
Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技術(shù)，該技術(shù)是具有通用輸入的高功率密度AC / DC轉(zhuǎn)換器（電源）的解決方案。除了將高...
高保真聲音再現(xiàn)發(fā)燒友是氮化鎵（GaN）基本質(zhì)量的最新受益者，因為它使這些發(fā)燒友在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中得到了喘息。GaN解決了他們關(guān)于最佳家庭音頻設(shè)置構(gòu)成的難...
基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
C2000?實時微控制器 （MCU）應對GaN 開關(guān)挑戰(zhàn)
與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
基于GaN晶體管的500W電機驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機驅(qū)動系統(tǒng)進軍。但這個市場非常保守，適應新技術(shù)的速度很...
硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍寶石基底（便宜但較大的晶...
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