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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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隨著第三代半導體材料的逐步應用，對頻率要求更高，據(jù)我們了解理想頻率應達到300KHz以上。對磁芯來說，您認為頻率應達到多少才會滿足需求？對磁芯的選材有什么要求？
如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體新材料得到廣泛應用，它們具有更高的導熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅動器，帶高側電平轉換器...
在消費類快充電源市場中，氮化鎵有著廣泛的應用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產品線，推出的氮化鎵快充新品多達數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應用，本文介紹了原子層鍍膜技術在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應用，并介紹了原子層鍍膜技...
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅動電源-常規(guī)雙極驅動程序 GaN GIT （G...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產碳化硅及氮化鎵相關外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...
氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設計
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據(jù)光照進行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲能技術的推進，微型逆變器和串式逆變...
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、...
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機攝影的發(fā)展史確實非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機跟相機相比最大的優(yōu)勢，在于...
英諾賽科針對48V架構開發(fā)了兩款行業(yè)領先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，...
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