如何提高電子元器件可靠性？

到2030年，10類關(guān)鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可靠性標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務(wù)機(jī)構(gòu)和可靠性專業(yè)人才，我國(guó)制造業(yè)可靠性整體...

2023-07-04 標(biāo)簽：電子元器件印刷電路板gpu 1179 0

氮化鎵晶體管的優(yōu)點(diǎn)

法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向?yàn)?00）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。

2023-02-08 標(biāo)簽：集成電路MOSFET晶體管 1172 0

基本半導(dǎo)體SMBF封裝碳化硅二極管你了解多少

自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個(gè)非常小的尺寸。 ...

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1145 0

“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計(jì)方案

當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動(dòng)性和極端操作環(huán)境的限制時(shí)，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...

2022-10-26 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 1137 0

氮化鎵材料的分析方法

X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來(lái)精確測(cè)定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的檢測(cè)方法，測(cè)試方法簡(jiǎn)單、方便、測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確，可以準(zhǔn)確判斷材料結(jié)晶質(zhì)量好壞，因此是一種非常...

2023-04-29 標(biāo)簽：晶體氮化鎵X射線 1133 0

GaN FET在應(yīng)用中的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具...

2022-07-18 標(biāo)簽：電源tiFET 1107 0

采用氮化鎵IC的電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向

在現(xiàn)代汽車中，增加的重量和更寬的前輪胎使無(wú)輔助轉(zhuǎn)向變得不切實(shí)際，因?yàn)閷?duì)操作員的阻力增加。因此，幾年前，采用了電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向。一開始，對(duì)駕駛員的輔助是通過(guò)液...

2023-04-06 標(biāo)簽：IC逆變器電機(jī) 1096 0

氮化鎵外延為何不生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上？

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì)，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體氮化鎵 1093 0

25W氮化鎵電源芯片方案介紹

同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源...

2025-06-16 標(biāo)簽：氮化鎵電源芯片同步整流芯片 1090 0

歐司朗新制造技術(shù)有望大幅降低LED生產(chǎn)成本

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。

2012-05-31 標(biāo)簽：歐司朗氮化鎵藍(lán)寶石襯底 1085 0