砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點(diǎn)分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵 7920 0

氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點(diǎn)分析

　氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。

2023-02-20 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵砷化鎵 2.7萬 0

氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區(qū)別

氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。

2023-02-20 標(biāo)簽：集成電路晶體管氮化鎵 1.4萬 0

GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展

氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2421 0

氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只...

2023-02-20 標(biāo)簽：pcb驅(qū)動器晶體管 949 0

氮化鎵功率器件分類 氮化鎵充電器為什么充電快

　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。

2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 2511 0

找到你的高壓電源設(shè)計(jì)最佳平衡點(diǎn)

當(dāng) 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個 R 的強(qiáng)度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...

2023-02-17 標(biāo)簽：電源SiC氮化鎵 266 0

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵GaN 5042 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3559 0

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的性能特征

　　GaN是一種無機(jī)物質(zhì)，其化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類似于金雞石，具有高硬...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器氮化鎵 2618 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6625 0

氮化鎵技術(shù)的壁壘是什么 氮化鎵晶體管工作原理

氮化鎵晶體管型號參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。

2023-02-14 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 2295 0

氮化鎵外延片是什么 氮化鎵有哪些分類

氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和...

2023-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 5077 0

什么是氮化鎵，氮化鎵有哪些好處

　　氮化鎵是一種無機(jī)化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性...

2023-02-14 標(biāo)簽：晶體管電子器件氮化鎵 9357 0

氮化鎵屬于無機(jī)非金屬材料嗎

　　20世紀(jì)40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機(jī)非金屬材料，與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 4865 0

氮化鎵技術(shù)在電源應(yīng)用方面的優(yōu)勢

　GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導(dǎo)體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們在特性上具有突出優(yōu)勢。由于大的帶隙和高的熱導(dǎo)率，GaN器件可以...

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 1169 0