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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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三菱電機開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機采用單個GaN功率放大器實現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運行 將有助于實現(xiàn)無線電單元共享和基站節(jié)...
拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...
45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因為使用了合封氮化鎵芯片，所以電路設(shè)計很簡潔，降低設(shè)計和加工成本，整套方案性價比不錯，且各輸入輸出電壓和各個負載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達93.6...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地...
目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
智融科技是國內(nèi)較早進入高集成移動電源快充SOC芯片設(shè)計領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持數(shù)...
什么是氮化鎵半導體 氮化鎵半導體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用
氮化鎵元件一個很大的優(yōu)勢在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...
第三代半導體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板...
一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延...
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！
看了一個拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現(xiàn)代裝飾風格。插座配備了一個新國標五孔插孔和一個新國標兩孔插孔，并...
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導體的直接接觸會導致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高...
當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個最適合特定設(shè)計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢：
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