幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質外延的難處

GaN半導體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...

2023-08-10 標簽：led功率器件氮化鎵 2256 0

GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標簽：驅動器SiC氮化鎵 1446 0

襯底工程對氮化物LED的影響研究

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-08 標簽：led激光器發(fā)光二極管 552 0

氮化鎵和碳化硅誰將贏得寬帶隙之戰(zhàn)？

氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。

2023-08-07 標簽：led照明充電器氮化鎵 1770 0

羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢及路線圖

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關狀態(tài)下。由于其出色的電子移動性、...

2023-08-02 標簽：電磁干擾氮化鎵GaN 978 0

高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標簽：電源整流器德州儀器 2630 0

慧能泰USB PD3.1快充方案匯總

2021年5月份，USB-IF協(xié)會正式發(fā)布了USB PD3.1快充標準，將最大充電功率提升至240W，同時新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...

2023-07-31 標簽：充電器usb氮化鎵 1017 0

PI氮化鎵的質量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導率和非常好的物理、化學穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標簽：氮化鎵半導體芯片GaN技術 2159 0

淺談雷達技術的幾個發(fā)展趨勢

氮化鎵（GaN）被認為是自硅以來影響最大的半導體創(chuàng)新產(chǎn)品，該材料能夠在比傳統(tǒng)半導體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...

2023-07-27 標簽：傳感器fpga氮化鎵 1534 0

雷達的常見分類方法及發(fā)展趨勢

GaN技術可以提高雷達的性能和適用性，但也需要更多的測試和優(yōu)化，在雷達中的應用有以下優(yōu)勢和劣勢： 優(yōu)勢： GaN提供更高的功率水平和更強的魯棒性，可以提...

2023-07-10 標簽：氮化鎵GaN 1047 0

如何驗證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標簽：氮化鎵程序GaN 1006 0

針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！

切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標簽：SiC氮化鎵GaN 1246 1

商務部/海關總署發(fā)布對鎵、鍺相關物項實施出口管制

　　商務部 海關總署公告2023年第23號 關于對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告

2023-07-04 標簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 449 0

GaN器件特性影響因素有哪些？

GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據(jù)說是新能源汽車市場，而非消...

2023-06-29 標簽：氮化鎵GaN華燦光電 873 0

車規(guī)級氮化鎵（GaN）技術有何優(yōu)勢？

作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關鍵作用。

2023-06-29 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1447 0

三菱電機開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器

News Releases 三菱電機采用單個GaN功率放大器實現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運行 將有助于實現(xiàn)無線電單元共享和基站節(jié)...

2023-06-27 標簽：功率放大器三菱電機氮化鎵 1118 0