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標(biāo)簽 > 氮化鎵晶體管
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近幾十年來,電力電子設(shè)備發(fā)展迅速,主要是由于半導(dǎo)體開關(guān)速度越來越快,這使得設(shè)計更小的電力存儲組件(如電容器和電感)成為可能。結(jié)合更高的效率,這可以實現(xiàn)更...
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它...
作為第三代半導(dǎo)體的天之驕子,氮化鎵晶體管日益引起工業(yè)界的重視,且被更大規(guī)模應(yīng)用
2023-02-07 標(biāo)簽:氮化鎵晶體管 785 0
這是NEDO關(guān)于“加強后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(ICE)到全電動未來的巨變。VisIC Technologies的功率...
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因為...
如何利用測量設(shè)備來準(zhǔn)確地評估高性能的氮化鎵晶體管
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管具備高速的開關(guān)速度優(yōu)勢,需要使用良好的測量技術(shù)及能夠描述高速波形細(xì)節(jié)的良好技巧來進(jìn)行評估。本文專注于如何基于用戶的要求及測量...
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