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標簽 > 氮化硅
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機械和電性能。
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本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應力膜 氮化硅膜在MEMS中應用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學腐蝕，疏水...
在芯片制造這一復雜且精妙的領域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元...
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應物中氫的含量較低。氮...
異質(zhì)結電池結構相比Topcon 電池本身更適合疊層: 因為鈣礦電池與異質(zhì)結電池進行疊層，異質(zhì)結電池表面本身就是 TCO，異質(zhì)結電池的產(chǎn)線無需做更改。
光子集成芯片所需的材料多種多樣，主要包括硅、氮化硅、磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等。這些材料各有其特性和應用領域，適用于不同的光子器件和集成芯片設計。
LPCVD是低壓化學氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，...
相較于本征應力，熱應力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來實現(xiàn)懸臂梁的驅(qū)動。在雙層膜形成的MEMS熱驅(qū)動器...
研究還表明，重復率的穩(wěn)定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復率的穩(wěn)定性相聯(lián)系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導同步KIS，表現(xiàn)出了相反色散...
在現(xiàn)代電子封裝領域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設備的關鍵材料。然...
很多行業(yè)的人都在好奇一個問題，就是spm清洗會把氮化硅去除嗎？為此，我們根據(jù)實踐與理論，給大家找到一個結果，感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會...
2024電機材料應用 10大創(chuàng)新 ? ? 隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視，電機材料的創(chuàng)新正在迎來一輪前所未有的突破。2024年，電機領域在多個新材...
最近發(fā)表在《Small》雜志上的一項研究探討了一種提高跨膜納米流體設備中石墨烯膜穩(wěn)定性的新方法。研究人員使用一種基于芘的涂層來加強石墨烯與其基底之間的附...
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢，它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處...
英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品 駕駛艙快充首選
近年來，隨著第三代半導體氮化鎵器件在充電器領域的廣泛普及應用，大功率充電器也日益小型化。大眾對電子設備的頻繁使用以及電量焦慮，使得出行時的充電需求變得十...
氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質(zhì)材料，在集成電路制造領域具有廣泛的應用前景。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅，還具備對...
一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅，具有對可移動離子較強...
鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務突破：千萬元級訂單助力產(chǎn)能擴張
近日，鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術有限公司（簡稱“鼎澤新材料”）在CMP（化學機械拋光）拋光液領域的重大進展，標志著公司在半導體材料供應鏈中...
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