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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動
什么是柵極驅(qū)動,說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動,柵極用PWM方波驅(qū)動,但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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薩科微slkor半導(dǎo)體研制的高速低側(cè)柵極驅(qū)動器-SL27517
薩科微slkor副總賀俊駒先生介紹,UPS(不間斷電源)作為一種保障電力供應(yīng)穩(wěn)定和可靠的設(shè)備,被廣泛應(yīng)用在計算機(jī)、通訊和工業(yè)等領(lǐng)域。隨著UPS的不斷發(fā)展...
微源半導(dǎo)體推出650V半橋柵極驅(qū)動芯片LPD2106
LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅(qū)動芯片,具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力,專用于驅(qū)動N溝道MOSFET或IGBT組成的半橋。LPD2106集...
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)今日正式宣布推出專為3相直流無刷電機(jī)設(shè)計的柵極驅(qū)動IC——“TB9084FTG”工程樣品,此產(chǎn)品旨在滿足車...
2024-10-31 標(biāo)簽:東芝柵極驅(qū)動直流無刷電機(jī) 703 0
如何通過單顆芯片實(shí)現(xiàn)雙通道控制?主流混碳柵極驅(qū)動芯片解析
導(dǎo)語:在過去的一個多月,我們從最基礎(chǔ)的器件入手,深入了解再探討SiC MOSFET與Si IGBT的單個特性和并聯(lián)后的表現(xiàn),并借助一些案例說明了如何利用...
納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET,為高效、可靠能源變換再添助力!
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
1安培輸出電流的IGBT柵極驅(qū)動電路光耦合器-ICPL-155E
IGBT的柵極電壓可通過不同的驅(qū)動電路來產(chǎn)生。這些驅(qū)動電路設(shè)計的優(yōu)劣對IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長期運(yùn)行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化...
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