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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動
什么是柵極驅(qū)動,說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動,柵極用PWM方波驅(qū)動,但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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SA2636的典型輸出電流可提供300mA上拉和600mA 下拉。它集成了 290ns的死區(qū)時間。EN輸入和ITRIP輸入的功能可通過使用外部NTC電阻...
意法半導(dǎo)體推出L9908高集成度車規(guī)三相柵極驅(qū)動單元
意法半導(dǎo)體的L9908高集成度車規(guī)三相柵極驅(qū)動單元(GDU)支持12V、24V 或 48V汽車電源系統(tǒng),具有靈活的輸入輸出通道,可在傳統(tǒng)油車和混動/電動...
2022-04-25 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體電源系統(tǒng)柵極驅(qū)動 2915 0
東芝推出新款MOSFET柵極驅(qū)動IC,助力縮小設(shè)備尺寸
TCK421G采用WCSP6G[1]封裝,是行業(yè)最小的封裝之一[2]。這便于TCK421G在可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)等小型設(shè)備上實現(xiàn)高密度貼裝,從而縮小上述...
東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。
氮矽科技預(yù)計年底推出首款分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動芯片的快充產(chǎn)品
氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料,目前已經(jīng)在快充市場呈現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。
高集成型28V耐壓5A開關(guān)模式電池充電管理器件——SGM41510
SGM41510是一款適用于單節(jié)鋰離子電池和鋰聚合物電池的高集成型28V耐壓5A開關(guān)模式電池充電管理和系統(tǒng)電源路徑管理器件。該器件采用綠色TQFN-4×...
SiC FET半導(dǎo)體器件的主要拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和器件功能解析
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的部署,在世界范圍內(nèi)將有大規(guī)模的擴(kuò)建浪潮,并需要許多高質(zhì)量的電信整流器來提供所需的電力。為了滿足提高效率、降低運營成本和降低物料清單成本的需...
IGBT柵極驅(qū)動的驅(qū)動條件和柵極電阻Rg的作用
igbt驅(qū)動器是驅(qū)動igbt并對其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置,它不僅影響了igbt 的動態(tài)性能,同時也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決...
飛兆半導(dǎo)體推出FOD8318智能柵極驅(qū)動光電耦合器
飛兆半導(dǎo)體推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅(qū)動光電耦合器。 該器件是一個先進(jìn)2.5A的輸出電流IGBT驅(qū)動光電耦合器,可驅(qū)動大部分12...
2013-03-21 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體光電耦合器柵極驅(qū)動 1605 0
新型40V邏輯電平柵極驅(qū)動芯片組包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET ,有助于最大限度減少DC-DC轉(zhuǎn)換器的開...
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