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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)
什么是柵極驅(qū)動(dòng),說(shuō)白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動(dòng),柵極用PWM方波驅(qū)動(dòng),但是會(huì)形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會(huì)形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開(kāi)關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 2140 0
淺談柵極驅(qū)動(dòng)器和電源環(huán)路的布線
并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)(如交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個(gè)級(jí)別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器時(shí),其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電...
2022-10-19 標(biāo)簽:電容器柵極驅(qū)動(dòng) 1882 0
PFC拓?fù)淅霉鐼OSFET的模塊化柵極驅(qū)動(dòng)方法
本文介紹了一種多級(jí)圖騰柱PFC拓?fù)?,該拓?fù)淅霉鐼OSFET的簡(jiǎn)單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動(dòng)方法,實(shí)現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比,通...
2022-10-19 標(biāo)簽:MOSFETPFC柵極驅(qū)動(dòng) 1790 0
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動(dòng)電路和以兩個(gè)輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動(dòng)電路和它的浮動(dòng)偏置可以通過(guò)低壓電路實(shí)現(xiàn),因?yàn)檩斎腚妷翰粫?huì)作用到這些電路上。
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 1771 0
IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案
由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時(shí)有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路可以對(duì)超出IGBT 安全工作區(qū)的運(yùn)行模式加以保護(hù)以免...
獨(dú)特的柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用支持高功率放大器快速開(kāi)啟/關(guān)閉
通過(guò)漏極控制開(kāi)關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個(gè)串聯(lián)FET開(kāi)啟輸入HPA的高電壓??刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。
2021-06-02 標(biāo)簽:功率放大器RF柵極驅(qū)動(dòng) 1559 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)電路案例分析
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 標(biāo)簽:MOSFET齊納二極管柵極驅(qū)動(dòng) 1496 0
光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的CMTI額定值僅為35 V/ns至50 V/ns,這限制了功率FET的切換速度。這導(dǎo)致功率FET的功耗更高、效率更低、尺寸更大、系統(tǒng)...
2019-04-30 標(biāo)簽:光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 1451 0
簡(jiǎn)化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計(jì),快速實(shí)現(xiàn)輕量化
本文中,我們將討論可幫助應(yīng)對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路中的特定模擬功能。
2020-12-14 標(biāo)簽:德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 1448 0
適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門(mén)為GaN設(shè)計(jì)的柵...
2024-02-29 標(biāo)簽:MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng) 1393 0
柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過(guò)增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電流場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1246 0
集成Cortex-M0內(nèi)核的車規(guī)級(jí)MCU概述
LCA037BT(K)32EU8 是集成 Cortex-M0 內(nèi)核的車規(guī)級(jí) MCU,面向電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域,集成了三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)模塊
2023-03-03 標(biāo)簽:mcuCortex-M0柵極驅(qū)動(dòng) 1198 0
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng) 1158 0
如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度提高SiC牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì),這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù),例如效率(影響電動(dòng)汽車行駛里程)和 SiC過(guò)沖(影響可靠性)。
2023-07-04 標(biāo)簽:SiC柵極驅(qū)動(dòng)牽引逆變器 1005 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用設(shè)計(jì)
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間...
2023-06-25 標(biāo)簽:MOSFET電阻器柵極驅(qū)動(dòng) 1000 0
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型時(shí)考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動(dòng)芯片能夠顯著降低整個(gè)系統(tǒng)的待機(jī)功耗,這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的電子設(shè)...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電子設(shè)備柵極驅(qū)動(dòng) 868 0
KP8562X 在 BLDC 驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用介紹
無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 具有壽命長(zhǎng)、靜音、高動(dòng)態(tài)響應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn),在各類應(yīng)用中的使用已越來(lái)越普遍。常用的 BLDC 驅(qū)動(dòng)多由控制單元、三顆半橋柵極驅(qū)動(dòng)...
2025-03-08 標(biāo)簽:MOSFETBLDC無(wú)刷直流電機(jī) 780 0
柵極驅(qū)動(dòng)IC虛焊是否會(huì)導(dǎo)致燒毀,這個(gè)問(wèn)題涉及到多個(gè)因素,包括虛焊的嚴(yán)重程度、工作環(huán)境條件以及柵極驅(qū)動(dòng)IC本身的特性等。以下是對(duì)這一問(wèn)題的分析: 一、虛焊...
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...
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