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標簽 > 柵極驅(qū)動器
柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時,使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因為如MOSFET有個柵極電容,在導(dǎo)通之前要先對該電容充電,當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)...
2020-01-29 標簽:MOSFET開關(guān)二極管柵極驅(qū)動器 2.1萬 0
使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200V SiC電源模塊
電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導(dǎo)...
2020-02-04 標簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器電源模塊半導(dǎo)體器件 4383 0
電容隔離如何解決交流電機驅(qū)動中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
交流電機驅(qū)動使用由電壓和電流反饋測量值組成的閉環(huán)控制系統(tǒng)來控制交流電機的速度和扭矩。由于電壓和電流反饋需在高壓側(cè)測量,因此信號必須與低壓控制器側(cè)隔離。
在開關(guān)期間,晶體管會處于同時施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時間(參見圖2)。目標是要最大程度地減...
60 V第四代n溝道功率MOSFET:業(yè)內(nèi)適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件
Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件,10 V...
采用高度集成的柵極驅(qū)動器節(jié)省電機控制設(shè)計空間
柵極驅(qū)動器是一個高度集成的模塊化解決方案,能夠消除分立設(shè)計所帶來的諸多復(fù)雜性,但仍需要做一些設(shè)計來打造能夠充分發(fā)揮其作用的系統(tǒng)。該參考設(shè)計為設(shè)計人員展示...
ADuM4135柵極驅(qū)動器與APTGT75A120 IGBT的結(jié)合使用
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。
STGAP2SCM電流隔離4A單個柵極驅(qū)動器解決方案
ST公司的STGAP2SCM是電流隔離1700V單個柵極驅(qū)動器,能隔離柵極驅(qū)動通路與低壓控制電路和接口電路。驅(qū)動電流4A,并具有軌到軌輸出,是得器件適合...
通過聯(lián)鎖柵極驅(qū)動器來提高三相逆變器的魯棒性
變頻驅(qū)動器(VFD)是工業(yè)自動化機械的重要組成部分。它們能夠高效地驅(qū)動泵、風(fēng)扇、傳送帶、計算機數(shù)控機床和機器人自動化解決方案,有助于降低工廠的總能耗。若...
德州儀器100V柵極驅(qū)動器實現(xiàn)通信和數(shù)據(jù)通信模塊更高穩(wěn)定
UCC27282 120V半橋驅(qū)動器具有多項新特性和參數(shù)改進,有助于實現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號可禁用驅(qū)動器,將UCC27...
當驅(qū)動中/高功率MOSFET和IGBT時,一旦功率器件上的電壓變化速率較高,就會存在密勒效應(yīng)導(dǎo)通風(fēng)險。電流通過柵極-漏極電容或柵極-集電極電容注入到功率...
分立元件成就一切:如何簡化48V至60V直流饋電三相逆變器設(shè)計
您正在設(shè)計伺服、計算機數(shù)控(CNC)或機器人應(yīng)用的下一個功率級。這種情況下,功率級是低壓直流饋電三相逆變器,電壓范圍為12 VDC到60 VDC ,額定...
柵極驅(qū)動器在太陽能收集設(shè)計中的應(yīng)用
雖然數(shù)字邏輯電路在太陽能收集設(shè)計中提供關(guān)鍵的監(jiān)控和控制功能,但功率晶體管為電力輸送提供了基礎(chǔ)。在這些數(shù)字和電源域之間,柵極驅(qū)動器提供關(guān)鍵接口功能,在太陽...
GaN和SiC器件將成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 標簽:功率開關(guān)柵極驅(qū)動器 4267 0
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