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標(biāo)簽 > 柵極電壓
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MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS管電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管 2050 0
隨著LED技術(shù)的快速發(fā)展,LED照明因其高亮度、低能耗和長壽命等優(yōu)點,逐漸成為照明市場的主流選擇。LED驅(qū)動電源作為LED照明系統(tǒng)的核心部件,其性能直接...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管LED驅(qū)動電源柵極電壓 2574 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動簡單等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 1803 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,直流電機(jī)因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品中。MOS管因其高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻成為控制直流電機(jī)的理想選擇。...
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和易于集成等優(yōu)點,在電子電路中扮演著重要角色。然而,為了確保MOS管在實際應(yīng)用中的性能,必須進(jìn)行一系列的性能測試。這些測試...
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系?
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系? IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉(zhuǎn)換為高電壓、...
日本團(tuán)隊公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展
早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當(dāng)柵極電壓...
2024-01-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS場效應(yīng)晶體管 1500 0
N溝道場效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?
N溝道場效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓? 大部分情況下,場效應(yīng)管的柵極電壓(G極)不會大于漏極電壓(D極)。這是因為場效應(yīng)管的工作原...
2023-11-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管柵極電壓 2692 0
為什么MOS管和BJT管的三端不能任意作為輸入和輸出?? 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)中最基礎(chǔ)的電子器件。而MOS管和BJT管是晶體管的兩種主要類型。它們被廣泛應(yīng)...
2023-09-21 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管BJT管 2368 0
為什么放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右?
為什么放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右? 放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右? 放大管是電子設(shè)備中非常重要的一種元器件,它可以將低...
為什么只有共源級有密勒效應(yīng),而共柵級、共漏級沒有密勒效應(yīng)?
為什么只有共源級有密勒效應(yīng),而共柵級、共漏級沒有密勒效應(yīng)? 密勒效應(yīng)是指在半導(dǎo)體器件中,頻率越高時電路增益越低的現(xiàn)象。 該現(xiàn)象是由于半導(dǎo)體器件電容的存在...
2023-09-21 標(biāo)簽:控制電路晶體管半導(dǎo)體器件 1919 0
怎么看共漏級可以有反饋在里面? 共漏級是一種集成電路設(shè)計中常見的級聯(lián)電路。級聯(lián)電路由若干個級聯(lián)元件組成,其電路的輸入端連接于級聯(lián)電路的第一個級聯(lián)元件的輸...
mos管的三個工作狀態(tài)介紹 MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種半導(dǎo)體器...
功率 MOSFET 最常用于開關(guān)模式應(yīng)用中,它們用作開關(guān)。然而,在 SMPS 中的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、反極性保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,功率 MOS...
2022-09-11 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器柵極電壓 1.0萬 0
相對于耗盡型,增強(qiáng)型是通過“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來導(dǎo)通,如圖。柵極電壓越低,則p型源、漏極的正離子就越靠近中間,n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵極,柵極電壓達(dá)到...
ROHM推出適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備的Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出非常適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)...
2020-12-26 標(biāo)簽:MOSFET機(jī)器人場效應(yīng)晶體管 2360 0
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
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