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標(biāo)簽 > 晶粒
晶粒是組成多晶體的外形不規(guī)則的小晶體,在物質(zhì)結(jié)晶過程中,通過晶核(結(jié)晶中心)生成和晶體成長(zhǎng)而發(fā)展起來的小晶體。
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高加速壽命試驗(yàn)對(duì)焊點(diǎn)的可靠性評(píng)估
高加速壽命試驗(yàn)是加速電子產(chǎn)品在實(shí)際使用中會(huì)出現(xiàn)的損壞因素,以比實(shí)際使用更短的時(shí)間引發(fā)失效,藉此鑒定產(chǎn)品是否符合設(shè)計(jì)要求,以及對(duì)失效模式分析并提出改進(jìn)方案。
根據(jù)專利概述,該技術(shù)將包含在第一半導(dǎo)體晶粒組件區(qū)域上的高介電常數(shù)介電層作為關(guān)鍵部分。硅穿孔結(jié)構(gòu)被引入到組件區(qū)域中,實(shí)現(xiàn)連接功能。而高介電常數(shù)介電層在本質(zhì)...
對(duì)于在常溫下使用的零件,通常是這樣,因?yàn)榫ЯT郊?xì)小則晶界面積越大,對(duì)性能的影響也越大,材料強(qiáng)度越高,而細(xì)晶強(qiáng)化是不會(huì)降低材料塑形的。
一種晶粒、晶圓及晶圓上晶粒位置的標(biāo)識(shí)方法
在對(duì)不良品(或失效芯片)進(jìn)行失效分析過程中,數(shù)據(jù)排查往往是最先要完成的一環(huán),如分析芯片制造各環(huán)節(jié)(wafer測(cè)試、芯片封裝、芯片測(cè)試)的加工和測(cè)試數(shù)據(jù),...
比較法:比較法不需計(jì)算晶粒、截矩。與標(biāo)準(zhǔn)系列評(píng)級(jí)圖進(jìn)行比較,用比較法評(píng)估晶粒度時(shí)一般存在一定的偏差(±0.5級(jí))。評(píng)估值的重現(xiàn)性與再現(xiàn)性通常為±1級(jí)。
芯片是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱,也被稱作為集成線路、微電路、微芯片,芯片是由硅片制造出來的。而芯片的封裝是芯片制造的一個(gè)重要過程,今天為大家科普一個(gè)知識(shí),什...
一、 一般常見的焊接缺陷可分為四類:(1)焊縫尺寸不符合要求:如焊縫超高、超寬、過窄、高低差過大、焊縫過渡到母材不圓滑等。(2)焊接表面缺陷:如咬邊、焊...
金屬材料結(jié)構(gòu)分析是揭示材料性能與材料成分、工藝措施間內(nèi)在規(guī)律的重要手段和橋梁。化學(xué)成分,原子集合體的結(jié)構(gòu)以及內(nèi)部組織是決定金屬材料性能的內(nèi)在基本因素。當(dāng)...
金屬增材制造(additive manufacturing, AM)在制造幾何形狀復(fù)雜的零件以及定制零件的微結(jié)構(gòu)和性能方面具有巨大優(yōu)勢(shì),使其在各行各業(yè)中...
2021-06-15 標(biāo)簽:晶粒 2412 0
自然中普遍存在的現(xiàn)象,如云層中水分子在灰塵礦物質(zhì)表面的聚集造成的降水/降雪、生物礦物質(zhì)的形成等物理/化學(xué)過程等,都與基于結(jié)構(gòu)物態(tài)相變有關(guān),成核結(jié)晶的熱力...
2021-04-07 標(biāo)簽:石墨烯PRL原子結(jié)構(gòu) 3720 0
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