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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

TPS631011 1.5A 輸出電流降壓-升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS631010 和 TPS631011 是采用微型晶圓芯片級(jí)封裝的恒頻峰值電流模式控制降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。它們具有 3A 峰值電流限制（典型值）和...

2025-06-05 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器晶圓升壓轉(zhuǎn)換器 367 0

碳化硅襯底厚度測(cè)量中探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

引言在碳化硅襯底厚度測(cè)量過(guò)程中，探頭溫漂會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)量精度。構(gòu)建探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，有助于深入理解探頭溫漂的產(chǎn)生機(jī)理，為提高測(cè)量準(zhǔn)確性...

2025-06-04 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量 TTV 131 0

什么是晶圓級(jí)扇入封裝技術(shù)

在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下，封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價(jià)值不僅體現(xiàn)于物理防護(hù)與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能，更在于應(yīng)對(duì)多元化市...

2025-06-03 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝 384 0

什么是晶圓貼膜

貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。

2025-06-03 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 327 0

混合鍵合工藝介紹

所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過(guò)金屬互連的混合鍵合工藝，來(lái)實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bo...

2025-06-03 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 657 0

晶圓表面缺陷類型和測(cè)量方法

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓堪稱核心基石，其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。

2025-05-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓電子束 827 0

一文詳解干法刻蝕工藝

干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕，其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。

2025-05-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 1014 0

一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)...

2025-05-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 692 0

CMOS工藝流程簡(jiǎn)介

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心，它利用了N型和P型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的互補(bǔ)特性來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗的電子...

2025-05-23 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體晶圓 686 0

優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控

摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低...

2025-05-22 標(biāo)簽：晶圓 TTV 晶圓厚度 141 0

晶圓接受測(cè)試中的閾值電壓測(cè)試原理

在芯片制造的納米世界里，閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”——微小偏差即可導(dǎo)致系統(tǒng)性崩潰。作為晶圓接受測(cè)試(W...

2025-05-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 385 0

FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時(shí)工藝面臨的影響。

2025-05-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 967 0

減薄對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響

前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更...

2025-05-16 標(biāo)簽：晶圓封裝半導(dǎo)體制造 411 0

一種低翹曲扇出重構(gòu)方案

翹曲（Warpage）是結(jié)構(gòu)固有的缺陷之一。晶圓級(jí)扇出封裝（FOWLP）工藝過(guò)程中，由于硅芯片需通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂（EMC）進(jìn)行模塑重構(gòu)成為新的晶圓，使其新的...

2025-05-14 標(biāo)簽：晶圓封裝 285 0

硅片不同晶向的區(qū)別

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)：晶向就是晶體內(nèi)部原子沿某種方向排列的“路徑”。晶向通常用方括號(hào) [hkl] 表示方向，用圓括號(hào) (hkl) 表示平面，而表示晶向族。

2025-05-14 標(biāo)簽：晶圓硅片 850 0

TPS22914 5.5V、2A、37mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22914/15 是一個(gè)小而低的 R ~上~ ，具有受控轉(zhuǎn)換速率的單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 1.05 V 至 ...

2025-05-12 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器晶圓 329 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)晶圓減薄技術(shù)

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚...

2025-05-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 564 0

半導(dǎo)體芯片需要做哪些測(cè)試

首先我們需要了解芯片制造環(huán)節(jié)做?款芯片最基本的環(huán)節(jié)是設(shè)計(jì)->流片->封裝->測(cè)試，芯片成本構(gòu)成?般為人力成本20%，流片40%，封裝3...

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晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn)，每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影，每一次工藝革新都在...

2025-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓清洗工藝 1159 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試圖形技術(shù)解析

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2025-05-07 標(biāo)簽：測(cè)試存儲(chǔ)器晶圓 281 0

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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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