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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

淺析反應(yīng)離子刻蝕工藝技術(shù)

刻蝕氣體在等離子體中分解電離，形成離子和自由基等刻蝕類物質(zhì)，稱為Enchant → Enchant到達晶圓表面的過程。

2024-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶圓刻蝕 3609 0

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 1214 0

交換機芯片是如何制作的

交換機芯片的制作是一個復(fù)雜且精細的過程，涉及多個關(guān)鍵步驟。

2024-03-26 標(biāo)簽：芯片晶圓交換機 963 0

半導(dǎo)體晶圓直徑與厚度之間的關(guān)系

厚度的增加雖然提高了晶圓的穩(wěn)定性，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會影響...

2024-03-25 標(biāo)簽：晶圓芯片制造半導(dǎo)體晶圓 2954 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標(biāo)簽：芯片 NAND 晶圓 1884 0

集成芯片運用什么技術(shù)制造

集成芯片的制造運用了多種技術(shù)，這些技術(shù)相互關(guān)聯(lián)、相互支持，共同構(gòu)成了集成芯片制造的完整過程。

2024-03-21 標(biāo)簽：晶圓集成芯片 948 0

晶圓清洗：芯片設(shè)計與生產(chǎn)中的關(guān)鍵一環(huán)

蒸汽脫脂工藝一旦建立并經(jīng)過測試，就會保持恒定，并且可以實現(xiàn)自動化以提高效率。清潔結(jié)果保持可重復(fù)且一致。

2024-03-21 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計 1394 0

芯片制造工藝：光學(xué)光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 標(biāo)簽：集成電路晶圓芯片制造 4398 0

什么是溝道通孔？溝道通孔刻蝕需要考慮哪些方面？

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。

2024-03-20 標(biāo)簽：晶圓 ICP 1955 0

雷卯大功率SM712H和普通功率SM712兩種靜電保護器件對比

雷卯有大功率SM712H和普通功率SM712兩種靜電保護器件。從外形看都一樣，里面的晶圓參數(shù)不同。

2024-03-19 標(biāo)簽：ESD 晶圓靜電保護 1027 0

晶圓的劃片工藝分析

晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。

2024-03-17 標(biāo)簽：晶圓 emc 保護芯片 2659 0

半導(dǎo)體硅材料的特性解析

硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態(tài)存在。這些化合物在常溫下的化學(xué)性質(zhì)十分穩(wěn)定。而在高溫下，硅幾乎可以所有物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

2024-03-15 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料蝕刻 4660 0

晶棒切割工藝流程及注意要點

晶棒，通常用于制造半導(dǎo)體材料如單晶硅，是光伏產(chǎn)業(yè)、集成電路等高科技領(lǐng)域的關(guān)鍵部件。制備晶棒是一個復(fù)雜且需要高精度的過程，主要步驟包括原料準(zhǔn)備、晶體生長、...

2024-03-13 標(biāo)簽：集成電路晶圓晶棒 3261 0

芯片內(nèi)部有多小呢？芯片內(nèi)部為什么能這么?。? /></a>
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芯片內(nèi)部有多小呢？芯片內(nèi)部為什么能這么小？

芯片藏身于城市中隨處可見的電子設(shè)備，智能手機、電腦、家電等都離不開它的控制。

2024-03-12 標(biāo)簽：晶圓晶體管芯片制造 945 0

芯片制造時長揭秘：從原料到成品的完整周期

整個芯片制造的流程可以分為三大步驟：芯片設(shè)計、芯片制造、封裝測試

2024-03-07 標(biāo)簽：芯片晶圓芯片設(shè)計 3079 0

臺積電它有哪些前沿的2.5/3D IC封裝技術(shù)呢？

2.5/3D-IC封裝是一種用于半導(dǎo)體封裝的先進芯片堆疊技術(shù)，它能夠把邏輯、存儲、模擬、射頻和微機電系統(tǒng) (MEMS)集成到一起

2024-03-06 標(biāo)簽：臺積電 TSMC 晶圓 2568 0

混合鍵合工藝流程：詳細解讀D2W和W2W的流程

現(xiàn)在對 2 個晶圓進行處理，為粘合做好準(zhǔn)備。它們經(jīng)過 N2 等離子體處理以激活表面。等離子處理改變了表面的特性，以增加表面能并使其更加親水。

2024-03-06 標(biāo)簽：晶圓蝕刻芯片封裝 7647 0

晶圓鍵合工藝流程與關(guān)鍵技術(shù)探討

1：制造先進的啟動晶片(SOI)的方法。 2：作為一種創(chuàng)建復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)和腔體的方法，以創(chuàng)造設(shè)備功能。(分庭，通道，噴嘴.) 3：作為一種創(chuàng)建...

2024-03-06 標(biāo)簽：晶圓諧振器 706 0

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。

2024-03-04 標(biāo)簽：晶圓光刻膠 1295 0

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

在封裝史上，最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時起，更先進的封裝形式（例如晶圓級扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進式改進。

2024-02-27 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計蝕刻 4461 0

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