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標(biāo)簽 > 晶圓制造
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先進(jìn)封裝關(guān)鍵技術(shù)之TSV框架研究
先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測的交叉區(qū)域 先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域,涉及IDM、晶圓代工、封測廠商。先進(jìn)封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步...
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟,其作用在于減少晶圓表面的不平整,而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,價(jià)值量較高,分別占CMP耗材49%和...
半導(dǎo)體制造中的清洗工藝技術(shù)改進(jìn)方法
隨著晶體管尺寸的不斷微縮,晶圓制造工藝日益復(fù)雜,對半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。
2023-08-01 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)晶體管半導(dǎo)體制造 5878 0
芯片尺寸小,檢測難度大,標(biāo)準(zhǔn)的紅外熱像鏡頭通常最小能檢測100微米大小的目標(biāo),而通過加裝微距鏡頭,可以最小檢測17微米目標(biāo),相當(dāng)于1mm ×1mm的區(qū)域...
CMP 主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 C...
在半導(dǎo)體制造過程中,每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片...
2023-07-11 標(biāo)簽:ASMSiC半導(dǎo)體芯片 5683 0
在前道加工領(lǐng)域:CMP 主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械...
Metalenz聯(lián)合UMC將其開創(chuàng)性的超構(gòu)表面光學(xué)器件推向市場
Metalenz表示,與UMC的新合作伙伴關(guān)系將有助于其超構(gòu)表面光學(xué)器件首次直接推向公開市場。Metalenz成立于2016年,早在2021年就公布了其...
中國電科宣布已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特...
晶圓制造和芯片制造是半導(dǎo)體行業(yè)中兩個非常重要的環(huán)節(jié),它們雖然緊密相連,但是卻有一些不同之處。下面我們來詳細(xì)介紹晶圓制造和芯片制造的區(qū)別。
傳統(tǒng)CMOS技術(shù)的缺陷在于: 襯底的厚度會影響片上的寄生電容, 間接導(dǎo)致芯片的性能下降。 SOI技術(shù)主要是將 源極/漏極 和 硅片襯底分開, 以達(dá)到(部...
半導(dǎo)體領(lǐng)域集成微多孔透氣膜材料應(yīng)用介紹
POD無塵拖鏈護(hù)套采用高分子PU與e-PTFE基膜(PD014PD011)復(fù)合制成。POD無塵拖鏈護(hù)套專用e-PTFE基膜(PD014PD011)具有低...
晶圓代工器件結(jié)構(gòu)形成與功能實(shí)現(xiàn)
在半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)內(nèi),特色工藝是指以拓展摩爾定律為指導(dǎo),不完全依賴縮小晶體管特征尺寸(以下簡稱“線寬”),通過聚焦新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運(yùn)...
對于芯片來說設(shè)計(jì)和工藝同樣復(fù)雜,八十年代EDA技術(shù)誕生——芯片自動化設(shè)計(jì),使得芯片設(shè)計(jì)以及超大規(guī)模集成電路的難度大為降低。
2023-05-17 標(biāo)簽:集成電路芯片設(shè)計(jì)eda 899 0
微電子學(xué): Microelectronics- 微型電子學(xué)微電子學(xué)是研究在固體(主要是半導(dǎo)體)材料上構(gòu)成的微小型化電路及系統(tǒng)的電子學(xué)分支。
半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)...
半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)跟蹤報(bào)告:ALD技術(shù)進(jìn)行薄膜沉積工藝優(yōu)勢
薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。 半導(dǎo)體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術(shù)憑借沉積薄...
2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件晶圓制造 1036 0
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