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標(biāo)簽 > 晶體
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高質(zhì)量RC振蕩器的穩(wěn)定性預(yù)計(jì)在0.1%左右,而通常我們可以假設(shè)LC振蕩器的穩(wěn)定性高達(dá)0.01%。當(dāng)需要更高水平的穩(wěn)定性時,我們必須使用基于晶體的振蕩器電路。
半導(dǎo)體的工作原理 N型和P型半導(dǎo)體有什么區(qū)別?
半導(dǎo)體光放大器 (SOA) 是半導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)的一種放大光的元件。用戶可以在用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心之間通信的光收發(fā)器模塊中找到 SOA。
基于倏逝波原理的光纖傳感器因其靈敏度高、響應(yīng)速度快、成本低等優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于液體、氣體及生物化學(xué)傳感等諸多領(lǐng)域。
鈣鈦礦退火是一個多目標(biāo)的過程,旨在通過去除殘余溶劑、穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu)、提高電子遷移率、消除雜質(zhì)、調(diào)整結(jié)晶度和晶體形態(tài)、提高穩(wěn)定性和耐久性以及促進(jìn)薄膜的形成和...
晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性,它是決定振蕩器價格的重要因素。穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬,器件的價格亦愈高。設(shè)計(jì)工程師要縝密決定對特定應(yīng)用的...
關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報告
摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...
石英晶體所以能做振蕩電路(諧振)是基于它的壓電效應(yīng),從物理學(xué)中知道,若在晶體的兩個極板間加一電場,會使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;反之,若在極板間施加機(jī)械力,又會...
大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性,包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力,但干蝕刻有幾個缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子致?lián)p...
冷變形金屬被加熱到適當(dāng)溫度時,在變形組織內(nèi)部新的無畸變的等軸晶粒逐漸取代變形晶粒,而使形變強(qiáng)化效應(yīng)完全消除的過程。
2024-01-06 標(biāo)簽:晶體 2204 0
Device Studio具有顯示 LAMMPS運(yùn)動軌跡 的功能,LAMMPS運(yùn)動軌跡文件的后綴名為 .dump 。
當(dāng)產(chǎn)品放置于輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時,被測產(chǎn)品的高速器件與實(shí)驗(yàn)室中參考地會形成一定的容性耦合,產(chǎn)生寄生電容,導(dǎo)致出現(xiàn)共模輻射,寄生電容越大,共模輻射越強(qiáng);...
碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 標(biāo)簽:晶體碳化硅第三代半導(dǎo)體 2143 0
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