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標(biāo)簽 > 晶體
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氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...
關(guān)于氧化鋅的基本性質(zhì)和應(yīng)用的報(bào)告
本文概述了氧化鋅的基本性質(zhì),包括晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì),并介紹了其應(yīng)用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結(jié)構(gòu),氧化鋅的機(jī)械性質(zhì)、基本電子和光學(xué)性質(zhì)以及潛在...
對(duì)于電子工程師而言,晶體和晶振是電路中不可或缺的關(guān)鍵元件,尤其在涉及到時(shí)鐘信號(hào)和同步操作時(shí)。雖然兩者在功能上有著相似之處,但在實(shí)際應(yīng)用、電路設(shè)計(jì)以及布局...
2023-12-29 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體晶振 4499 0
碳膜電阻器和金屬膜電阻器常用于電路中。碳膜電阻器因其成本低、生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而被較多使用。
金剛石是碳元素(C)的單質(zhì)同素異構(gòu)體之一,為面心立方結(jié)構(gòu),每個(gè)碳原子都以sp雜化軌道與另外4個(gè)碳原子形成σ型共價(jià)鍵,C—C鍵長(zhǎng)為0.154nm,鍵能為7...
集成電路(Integrated Circuit,簡(jiǎn)稱IC)是現(xiàn)代電子設(shè)備中的核心部件,它們可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的功能,如處理器、存儲(chǔ)器、傳感器等。集成電路的制造...
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。1,2干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法...
使用導(dǎo)模法生長(zhǎng)4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析
晶體生長(zhǎng)使用的原料為氧化鎵粉末,純度99.999%,采用中頻感應(yīng)加熱,銥金發(fā)熱體、銥金模具,銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。
晶體知識(shí)—位錯(cuò)的生成和增值知識(shí)介紹
位錯(cuò)密度為單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度,其數(shù)學(xué)表達(dá)式
2023-12-09 標(biāo)簽:晶體 4134 0
晶體結(jié)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現(xiàn)為晶體結(jié)構(gòu)中局部范圍內(nèi),質(zhì)點(diǎn)的排布偏離周期性重復(fù)的空間格子規(guī)律而出現(xiàn)錯(cuò)亂的現(xiàn)象。根據(jù)錯(cuò)亂排...
2023-07-14 標(biāo)簽:晶體晶體結(jié)構(gòu) 4046 0
引言:在晶振選型時(shí),除了關(guān)鍵參數(shù)之外,也需要考慮更多的特性與參數(shù),保證系統(tǒng)超長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性,本節(jié)主要介紹有關(guān)晶振的各項(xiàng)關(guān)鍵特性和參數(shù)。(傳送門...
走在內(nèi)層能保證完整的映像平面,它可以提供一個(gè)低阻抗射頻傳輸路徑,并產(chǎn)生磁通量,以抵消它們的源傳輸線的磁通量,源和返回路徑的距離越近,則消磁就越好。由于增...
PH? 是常用的n型摻雜氣體。什么是n型摻雜?硅是四價(jià)元素,每個(gè)硅原子與四個(gè)鄰近的硅原子共享電子形成共價(jià)鍵。當(dāng)將五價(jià)的磷引入到硅晶體中時(shí),其中一個(gè)價(jià)電子...
2023-09-18 標(biāo)簽:晶體芯片制造半導(dǎo)體制造 3906 0
晶體的重要的電氣參數(shù)包括諧振頻率、諧振模式、負(fù)載電容、等效電阻、靜態(tài)電容、動(dòng)態(tài)電感和電容、工作溫度和驅(qū)動(dòng)功率。 石英晶片所以能做振蕩電路(諧振)是基于...
振蕩器 Oscillator 是電子電路很重要的一環(huán),有了振蕩器后,模擬電路才開始邁向通訊領(lǐng)域,數(shù)字電路則開始有「時(shí)間序」的概念,也才有后來狀態(tài)機(jī) st...
SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體,因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同,形成不同的SiC多型體,本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能...
正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)的聯(lián)系和區(qū)別
壓電效應(yīng)是材料科學(xué)和物理學(xué)中的一個(gè)重要現(xiàn)象,它涉及到材料在機(jī)械應(yīng)力和電場(chǎng)之間的相互作用。壓電效應(yīng)有兩種基本形式:正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)。這兩種效應(yīng)在許多...
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