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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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BC807-40,215(Nexperia)雙極結(jié)型晶體管中文資料_封裝尺寸_回流焊腳信息
Nexperia BC807-40,215是一款高性能的PNP型雙極結(jié)型晶體管,采用小型SOT23(TO-236AB)表面貼裝封裝,專為現(xiàn)代電子應(yīng)用...
來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示,他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里,新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益,這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好...
2023-07-16 標(biāo)簽:3D晶體管半導(dǎo)體行業(yè) 1037 0
場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別 場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管 1033 0
設(shè)計(jì)汽車系統(tǒng)的挑戰(zhàn)及相應(yīng)解決方法
如果您正在設(shè)計(jì)汽車系統(tǒng),可能會同時面臨器件級和系統(tǒng)級挑戰(zhàn),包括尺寸限制、故障條件,以及設(shè)計(jì)重復(fù)使用以縮短開發(fā)時間的需求。因此,本文將詳細(xì)分析這些挑戰(zhàn)并提...
2022-12-22 標(biāo)簽:晶體管電機(jī)驅(qū)動器汽車系統(tǒng) 1033 0
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。 場效應(yīng)管 :...
2024-12-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)管封裝晶體管 1032 0
還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
2023-11-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管FET 1031 0
IBM發(fā)布首款專為液氮冷卻設(shè)計(jì)的CMOS晶體管
IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管,通過將硅通道薄化切割為納米級別的薄片,再用柵極全方位圍繞,實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)50...
AM021009LN-P1 L波段寬帶低噪聲放大器AMCOM
AMCOM的AM021009LN-P1是款寬帶低噪聲放大器模塊。為通用型應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。AM021009LN-P1的頻率范圍為200MHz至1000MHz...
本電路經(jīng)過了測試,可正常工作。但是,測試時采用的是CD4520計(jì)數(shù)器與CD4028解碼器(因?yàn)槭诸^沒有CD4022/CD4017 IC),這種替換應(yīng)該不成問題。
GaN和SiC在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有哪些差異
采用氮化鎵的 LED 照明已經(jīng)大幅減少了全球的用電量,預(yù)計(jì)十年后節(jié)省的電量可能高達(dá) 46%。但在電力消耗方面,另一種電子技術(shù)可能在減少全球碳排放的關(guān)鍵驅(qū)...
湘潭大學(xué)在膠體量子點(diǎn)近紅外探測器領(lǐng)域取得重要研究進(jìn)展
光生電子與空穴在負(fù)柵壓與內(nèi)建電場的雙重作用下能快速分離與轉(zhuǎn)移,聚積在柵極電介質(zhì)層界面的光生電子能產(chǎn)出等效柵電容效應(yīng)開啟碳基晶體管,從而實(shí)現(xiàn)光信號向電信號...
英特爾:2030年前實(shí)現(xiàn)單個封裝內(nèi)集成1萬億個晶體管
12月9日,英特爾在IEDM 2023(2023 IEEE 國際電子器件會議)上展示了使用背面電源觸點(diǎn)將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關(guān)鍵技術(shù)。英特爾表...
隨著我們的設(shè)備變得更小、更快、更節(jié)能,并且能夠容納更多的數(shù)據(jù),自旋電子學(xué)可能會幫助延續(xù)這一趨勢。電子學(xué)是基于電子流的,而自旋電子學(xué)是基于電子的自旋。
2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)晶體管計(jì)算 1021 0
使用商業(yè)加密標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)遙測數(shù)據(jù)
在美國,自 1970 年代后期以來,分類遙測一直是加密數(shù)據(jù),因?yàn)閺?qiáng)制要求所有遙測數(shù)據(jù)在傳輸過程中都必須安全。同時,許多非機(jī)密數(shù)據(jù)歷來都是未加密傳輸?shù)?..
在數(shù)字電子學(xué)中,信號的傳輸和處理依賴于電壓水平來表示邏輯狀態(tài)。TTL電平和低電平信號是兩種常見的電壓水平,它們在數(shù)字電路中扮演著重要的角色。 TTL電平...
應(yīng)對功耗挑戰(zhàn):晶體管技術(shù)方案面臨瓶頸
以前,芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術(shù)來降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗的主要原因,但并非唯一因素,而且通過晶體管來降低功耗作用是有限的。
探索光耦:光耦在開關(guān)電源中的應(yīng)用——保障高效、安全的電源控制
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,開關(guān)電源因其高效能和穩(wěn)定輸出被廣泛應(yīng)用。然而,為了確保電源在不同負(fù)載和環(huán)境下的可靠性及安全性,光耦(光電耦合器)已成為開關(guān)電源中的關(guān)鍵...
2024-10-30 標(biāo)簽:開關(guān)電源光耦晶體管 1015 0
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