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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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Magnachip推出用于智能手機(jī)的第8代短溝道MOSFET
韓國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商美格納半導(dǎo)體(Magnachip)近日宣布了一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新成果——專為智能手機(jī)電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)的第8代MXT LV MOSFET(金...
單個(gè)晶體管也可以實(shí)現(xiàn)放大,那為什么還要?jiǎng)?chuàng)造運(yùn)放呢?
單個(gè)晶體管也可以實(shí)現(xiàn)放大,那為什么還要?jiǎng)?chuàng)造運(yùn)放呢? 為了理解為什么需要?jiǎng)?chuàng)造運(yùn)放,我們需要先了解放大的基本概念。放大器是指一種電路,它可以放大電壓和電流的...
科學(xué)家實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,世界最小的單原子晶體管問(wèn)世
德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院托馬斯?希梅爾教授領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出了單原子晶體管——一種利用電流控制單個(gè)原子位移實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的量子電子元件。
NV040D語(yǔ)音芯片在電子設(shè)備的應(yīng)用方案
電子設(shè)備是指由集成電路、晶體管、電子管等電子元器件組成,應(yīng)用電子技術(shù)(包括)軟件發(fā)揮作用的設(shè)備,包括電子計(jì)算機(jī)以及由電子計(jì)算機(jī)控制的機(jī)器人、數(shù)控或程控系統(tǒng)等。
傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷?新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷?新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在 美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱,傳統(tǒng)上對(duì)晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷,并
2009-05-27 標(biāo)簽:晶體管 1081 0
具有檢測(cè)、識(shí)別和存儲(chǔ)實(shí)時(shí)感知信息能力的感知-存儲(chǔ)-計(jì)算設(shè)備可以簡(jiǎn)化傳統(tǒng)芯片中不同模塊之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、傳輸、存儲(chǔ)和操作
2023-01-11 標(biāo)簽:晶體管IOT納米發(fā)電機(jī) 1077 0
讓人體廢熱轉(zhuǎn)化更舒適,這款熱電驅(qū)動(dòng)生理信號(hào)監(jiān)測(cè)器件做到了
武漢紡織大學(xué)教授王棟課題組開(kāi)發(fā)了一種全纖維集成熱電驅(qū)動(dòng)生理信號(hào)監(jiān)測(cè)器件。日前,相關(guān)研究成果發(fā)表在《先進(jìn)纖維材料》上。
9.2.4 器件參數(shù)的溫度特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
9.2.4器件參數(shù)的溫度特性9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)第9章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、...
全球首顆3nm電腦來(lái)了!蘋果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝,而M3系列芯片的發(fā)布,標(biāo)志著蘋果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)技術(shù),...
在數(shù)字電子領(lǐng)域,TTL電平是一種非常基礎(chǔ)且廣泛使用的信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)。TTL電平的全稱是晶體管-晶體管邏輯(Transistor-Transistor Logi...
2025-01-16 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)晶體管數(shù)字電子 1073 0
從華為海思芯片官宣轉(zhuǎn)正,到國(guó)產(chǎn)芯片巨頭中芯國(guó)際從紐約退市,中國(guó)芯一詞無(wú)疑成為近期的網(wǎng)紅熱詞。 解讀網(wǎng)紅芯片 指甲蓋大小的芯片為何能成為網(wǎng)紅?主要原因有三...
三星去年6月底開(kāi)始量產(chǎn)第一代3納米GAA(SF3E)制程,這是三星首次采用全新的GAA架構(gòu)晶體管技術(shù)。第二代3納米制程3GAP(SF3)將采用第二代MB...
臺(tái)積電計(jì)劃于2025年量產(chǎn)2納米
其中,2納米芯片的制程技術(shù)要求極高,需要采用全新的晶體管架構(gòu)、高精度材料和設(shè)備,同時(shí)對(duì)制程參數(shù)的精度和穩(wěn)定性要求更高,因此需要研發(fā)更加先進(jìn)的制程技術(shù)。
2023-10-20 標(biāo)簽:臺(tái)積電半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1071 0
ST TMOS熱敏紅外傳感器: 精準(zhǔn)檢測(cè)人員存在和移動(dòng)
意法半導(dǎo)發(fā)布新型人體存在和移動(dòng)檢測(cè)芯片。STHS34PF80是一款帶有微加工熱敏晶體管(TMOS)的高集成度、超低功耗的紅外(IR)傳感器,可取代傳統(tǒng)的...
2023-08-08 標(biāo)簽:探測(cè)器物聯(lián)網(wǎng)晶體管 1069 0
安森美半導(dǎo)體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管
氮化鎵(GaN)是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù),提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì),被稱為第三代半導(dǎo)體材料,用于電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開(kāi)關(guān)DC-D...
2024年英偉達(dá)GTC大會(huì)揭曉新一代GPU架構(gòu)Blackwell
陸行之表示,相比于其前身“Hopper”100的800億晶體管,“Blackwell”100擁有的2080億晶體管數(shù)量超過(guò)了前者1280億。此外,盡管兩...
2024-03-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)gpu晶體管 1068 0
如何通過(guò)第八代IGBT技術(shù)推動(dòng)可再生能源的未來(lái)?
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)對(duì)于高功率應(yīng)用中的高效率至關(guān)重要,特別是在阻斷電壓超過(guò)600V的情況下??稍偕茉搭I(lǐng)域,如光伏(PV)和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS...
具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。
Mandell引用 VDC Research 的 2020 年物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式和移動(dòng)處理器技術(shù)報(bào)告,預(yù)計(jì)嵌入式 SoC 的全球市場(chǎng)將“在未來(lái)幾年繼續(xù)超...
EV集團(tuán)將層轉(zhuǎn)移技術(shù)引入大批量制造
來(lái)源:Silicon Semiconductor 紅外激光切割技術(shù)能夠以納米精度從硅襯底上進(jìn)行超薄層轉(zhuǎn)移,徹底改變了先進(jìn)封裝和晶體管縮放的3D集成。 E...
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