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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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比斯特 BT-550D 電動智能晶體管點焊機的應(yīng)用場景
在當(dāng)今制造業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,焊接工藝作為關(guān)鍵環(huán)節(jié),對產(chǎn)品質(zhì)量與生產(chǎn)效率起著至關(guān)重要的作用。比斯特 BT-550D 電動智能晶體管點焊機憑借其出眾的性能...
在當(dāng)今電子工業(yè)中,對更快、更高效組件的需求巨大,以滿足現(xiàn)代計算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達到其物理和操作極限,它們在數(shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間,尤其是在...
在現(xiàn)代制造業(yè)中,點焊機作為連接金屬材料的關(guān)鍵設(shè)備,其操作便捷性和焊接效率直接影響著生產(chǎn)線的整體表現(xiàn)。比斯特BT-550D電動智能晶體管點焊機,以其出眾的...
UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管,CHK8201-SYA集成化2個CHK8101A99F功率棒封裝形式,能夠單獨瀏覽,可以產(chǎn)...
歐盟提出力爭在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說,要在7年時間內(nèi)實現(xiàn)這一目標(biāo)。顯然,全球朝著可再生能源邁進已成必然趨勢,全世界都在探索如何利用...
英飛凌推出采用新型硅封裝的CoolGaN G3晶體管,推動全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進程
【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】 氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類型和...
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)...
浮思特 | 晶圓級石墨烯場效應(yīng)晶體管生物傳感器陣列的集成與應(yīng)用研究
近年來,生物傳感器的發(fā)展已成為一個重要的研究重點,具有改革醫(yī)療和診斷的潛力。簡單來說,生物傳感器是通過生成與反應(yīng)中分析物濃度成正比的信號來測量生物反應(yīng)的...
聞泰科技以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動未來可持續(xù)增長
研發(fā)創(chuàng)新不僅是企業(yè)行穩(wěn)致遠的引擎,也是踐行 ESG 理念的關(guān)鍵路徑。聞泰科技將研發(fā)創(chuàng)新融入戰(zhàn)略肌理,勾勒未來增長藍圖,同時通過節(jié)能產(chǎn)品推動碳減排,力求構(gòu)...
Wolfspeed的CGHV60075D5是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優(yōu)越的使用性能;CGHV6...
第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料,鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大,但由于速度較慢、不耐熱等缺點,在八十年代初就被硅基管給取代了,一直到現(xiàn)今...
2023-12-20 標(biāo)簽:晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 362 0
Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能參數(shù)。包括相對較高的...
Bourns HVMA03F4A-LP8S門驅(qū)動變壓器的特點及優(yōu)勢
IGBT 和 SiC 門驅(qū)動器通常需要 +15V 到 +20V 的門電壓以實現(xiàn)開通,0V 到 -5V 的電壓以確保可靠的關(guān)斷。采用負門電壓可以增強抗噪聲...
東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續(xù)摩爾定律提供新思路
據(jù)報道,東京大學(xué)的研究團隊近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注,標(biāo)志著微電子器件...
10.1.4 自旋場效應(yīng)晶體管∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
SpinField-effectTransistor撰稿人:清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興...
2022-03-21 標(biāo)簽:晶體管 317 0
昂洋科技談MOS管在開關(guān)電源中的應(yīng)用
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,在開關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-04-12 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管晶體管 307 0
晶體管我們經(jīng)常說的參數(shù)有哪些?怎樣去測量這些參數(shù)?
晶體管參數(shù)分類及說明 晶體管參數(shù)可從性能極限、電學(xué)特征、頻率特性等維度劃分,以下是綜合參數(shù)分類及關(guān)鍵定義: 一、?極限參數(shù)(最大耐受值)? ?電壓參數(shù)?...
2025-05-16 標(biāo)簽:晶體管 279 0
瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管,推動高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進步的背景下,瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET),專注于滿足...
半導(dǎo)體器件控制機理:MOS管場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通機制探析
在微電子系統(tǒng)中,場效應(yīng)晶體管通過柵極電位的精確調(diào)控實現(xiàn)對主電流通路的智能管理,這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實現(xiàn)這種精密控制...
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