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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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門羅微系統宣布C輪融資1.5億美元,突破性Ideal SwitchTM技術加速電氣化
門羅微系統股份有限公司(門羅微系統,Menlo Micro),致力于用Ideal Switch?技術重塑電子開關,今天宣布C輪融資1.5億美元,門羅微系...
數十年來,各行各業(yè)的公司都會通過產品生命周期管理(PLM)工具來管理其產品從生產初期到市場部署整個流程中的狀況。半導體芯片從上世紀50年代開始至今,已經...
華大九天多款產品獲得ISO 26262 TCL3和IEC 61508 T2國際標準認證
據華大九天2023年年報披露,其原理圖/版圖編輯工具Empyrean Aether、電路仿真工具Empyrean ALPS、物理驗證工具Empyrean...
4月8日消息,據國外媒體報道,本周四IBM向媒體展示了其最快的石墨烯晶體管,該產品每秒能執(zhí)行1550億個循環(huán)操作,比之前的試驗用晶體管快50%。
放大器自身的電流噪聲通過何種方案可以降低呢?是在前端進行抑制還是后端過濾?
放大器自身的電流噪聲通過何種方案可以降低呢?是在前端進行抑制還是后端的過濾? 放大器自身的電流噪聲是放大器設計中的一個重要問題。通過合理的設計和維護可以...
利用APSYS半導體器件開發(fā)出SiC基IGBT計算模型
成果展示:SiC基IGBT模型(ver.1.0) 作為十四五規(guī)劃和2035年遠景目標中科技前沿領域重點攻關方向,碳化硅(SiC)基絕緣柵雙極型晶體管(I...
臺積電積極配置了2nm工程,n2的目標是2025年,n2p和n2x的目標是2026年上市,納米芯片晶體管的性能達到了技術目標的80%以上,能源效率和低v...
貿澤開售Skyworks Solutions適用于軍事和航電設計的高速光耦合器
OLI300和OLS300光耦合器適用于將晶體管-晶體管邏輯 (TTL) 連接到低功耗肖特基晶體管-晶體管邏輯 (LSTTL)。
SEMI首席分析師曾瑞榆預測,半導體銷售額預計將在2024年和2025年實現兩位數增長。其中,半導體設備和材料市場將在2024年出現改善,隨后在2025...
世界第一AI芯片發(fā)布!世界紀錄直接翻倍 晶體管達4萬億個
3月14日消息,今天,美國芯片初創(chuàng)公司Cerebras Systems,推出了全球最強的第三代晶圓級AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale ...
近日報道,美國卡耐基梅隆大學(CMU)科學家研發(fā)出一種在室溫下呈液態(tài)的金屬合金,并將其注入橡膠后制成像天然皮膚一樣柔軟和富有彈性的晶體管。發(fā)表在《先進科...
臺積電1.4nm工藝研發(fā)全面啟動,2nm預計2025年量產
SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示,臺積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前,關于該節(jié)點的具體量產日期及參數暫...
美國耗材制造商Entegris的首席技術官James O‘Neill指出,現如今,控制“更為精密”半導體工藝技術的責任已悄然轉移至先進的硅晶圓加工材料及...
無晶圓半導體企業(yè)2012年業(yè)績再度超越IDM
全球無晶圓廠半導體企業(yè)(fabless)的整體業(yè)績表現,又一次在 2012年超越了擁有自家晶圓廠的整合元件制造商(IDM)們。全球無晶圓廠晶片業(yè)者 20...
STGAP1S是意法半導體新一代gapDRIVE?柵驅動器的首款產品。新產品整合意法半導體獨有的雙極-CMOS-DMOS (BCD)制造工藝以及在芯片上...
三菱電機將發(fā)布全新網絡服務,加速大功率逆變器開發(fā)
三菱電機集團,一直以其技術實力和創(chuàng)新精神在電力行業(yè)占據重要地位。近日,該集團宣布將于近日推出一項全新的基于網絡的服務,旨在為客戶提供大功率逆變器開發(fā)的有力支持。
11月7日,有報道稱,美國麻省理工學院的研究團隊利用超薄半導體材料,成功開發(fā)出一種前所未有的納米級3D晶體管。這款晶體管被譽為迄今為止最小的3D晶體管,...
制造量子計算機的第一步是選擇如何制造其核心要素量子比特。迄今為止,商業(yè)上最成功的超導量子比特是晶體管。但是,和所有的量子比特一樣,如果在環(huán)境中出現任何小...
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