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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。
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DC-DC技術(shù)組合提升效率和功率轉(zhuǎn)換密度的解決方案
轉(zhuǎn)至切換拓撲有一定的缺陷,其更復雜的設(shè)計形式要求具有多元化的技能。設(shè)計工程師必須熟悉模擬和數(shù)字技術(shù)、電磁學及閉環(huán)控制。印刷電路板(PCB)的設(shè)計者必須更...
利用555定時器構(gòu)成電壓調(diào)節(jié)電路來控制一個或多個白光LED
本文以一個555定時器為主要器件構(gòu)成電壓調(diào)節(jié)電路(如圖所示),用來控制一個或多個白光LED。定時器IC1與R1、R2、C2構(gòu)成了可復位非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。
采用三菱FX2N系列晶體管輸出型PLC實現(xiàn)三自由度機械手系統(tǒng)的設(shè)計
步進電機是將電脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)榻俏灰苹蚓€位移的開環(huán)執(zhí)行元件。在非超載情況下,電機的轉(zhuǎn)速、停止位置只取決于脈沖信號的頻率和脈沖數(shù)目。這一線性關(guān)系的存在,加上...
大功率IGBT在新能源汽車領(lǐng)域的的研發(fā)情況如何?
GBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)...
在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能,此時三極管可作為開關(guān)器件來使用。作為開關(guān)器件使用時需使用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器件...
氮化鎵技術(shù)研究新進展,如何作為“電力電子應(yīng)用中敏感探針”使用?
美國康奈爾大學,IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...
半導體器件老化問題是如何出現(xiàn)的?如何解決半導體器件老化問題?
先進特征尺寸節(jié)點上,芯片老化是個日益嚴重的問題,但到目前為止,大多數(shù)設(shè)計團隊都沒有必要處理它。隨著新的可靠性要求在汽車等市場的提出,這些需要對影響老化的...
電子設(shè)備及儀器使用的電子元器件,一般需要在長時間連續(xù)通電的情況下工作,并且受到環(huán)境條件(溫度和濕度等)的變化和各種其它因素的影響,(如是在煤礦井下惡劣的...
電子負載,英文名稱為electronic load,是一種通過控制內(nèi)部功率或晶體管的導通量來達到準確檢測負載電壓、精確調(diào)整負載電流功能的電子元器件。電子...
集成電路是一種采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質(zhì)基片上,然后封...
在用高于常見的電源電壓(如24V)設(shè)計邏輯電路時,可以結(jié)合使用標準邏輯系列與一只穩(wěn)壓器,通過電平轉(zhuǎn)換器做接口。另外,如果邏輯并不太復雜,速度也不是非常高...
眾所周知, 晶體管是單晶半導體器件, 而壓敏電阻是有空架晶格的多晶半導體, 隨著所加電壓, 晶格發(fā)生變化, 其電阻值也隨著發(fā)生巨大變化的敏感器件類的電子...
可提高開關(guān)速度與動態(tài)性能的減少VDMOS寄生電容新結(jié)構(gòu)的研究
VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動電流小,頻率特性好,跨導高度線性等優(yōu)點。特別值得指出的是,它具有負溫度系數(shù),...
基于IR2130驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護電路的設(shè)計
功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點,但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計合理的保護...
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài),工作頻率較高,發(fā)熱量大,因此其故障率較高,又由于其價格較高,故代換IGBT管時,應(yīng)遵循以下原則:首先,盡量用原型...
一種元器件數(shù)量少的高性能分立式匹配晶體管緩沖器的設(shè)計
盡管單封裝雙器件(如2N3958、2N5196~2N5199,以及2N5564~2N5566等)在熱跟蹤方面具有優(yōu)勢,為降低成本,我們還是選擇離散JFE...
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