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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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PNP集電極開(kāi)路輸出是指在這種輸出配置下,當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí),其集電極(即輸出端)與電源軌相連,實(shí)現(xiàn)高電平輸出;而當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí),輸出端則通過(guò)外部連接的“下...
2024-09-19 標(biāo)簽:晶體管pnp集電極開(kāi)路 1811 0
集電極開(kāi)路邏輯,顧名思義,是指集電極處于開(kāi)路狀態(tài)的一種電路配置。在這種狀態(tài)下,輸出端要么接地,形成電流通路;要么保持開(kāi)路,即與地?cái)嚅_(kāi)連接。這種獨(dú)特的輸出...
2024-09-19 標(biāo)簽:電路晶體管集電極開(kāi)路 1284 0
NPN雙極晶體管在集電極開(kāi)路配置下運(yùn)行時(shí),其行為模式介于完全導(dǎo)通與完全截止之間,仿佛一個(gè)精密的固態(tài)開(kāi)關(guān)。在沒(méi)有施加基極偏置電壓的情況下,晶體管處于關(guān)斷狀...
2024-09-19 標(biāo)簽:晶體管NPN集電極開(kāi)路 1730 0
在集成電路的廣闊領(lǐng)域中,集電極開(kāi)路作為一種獨(dú)特的輸出形式,扮演著舉足輕重的角色。它如同一個(gè)精密控制的開(kāi)關(guān),既能實(shí)現(xiàn)電路的通斷,又能靈活應(yīng)對(duì)不同的電流需求...
2024-09-19 標(biāo)簽:電路晶體管集電極開(kāi)路 1141 0
單管自激升壓電路是一種利用單個(gè)晶體管和電感、電容等元件構(gòu)成的升壓轉(zhuǎn)換器,它能夠?qū)⑤^低的輸入電壓轉(zhuǎn)換為較高的輸出電壓。這種電路廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備、電...
2024-09-18 標(biāo)簽:升壓電路升壓轉(zhuǎn)換器電感 3041 0
單管自激升壓電路是一種利用單個(gè)晶體管和少量元件實(shí)現(xiàn)電壓提升的電路。這種電路廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、LED驅(qū)動(dòng)、電池充電器等領(lǐng)域。由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、易...
EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory,可擦寫(xiě)只讀存儲(chǔ)器)是一種早期的非易失性存儲(chǔ)技術(shù),它允許用戶通過(guò)...
2024-09-18 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)晶體管 2389 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的連續(xù)漏極電...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路...
PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor)晶體管,即P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是電子電路中常用的關(guān)鍵元件之一。...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為電子工...
在判斷晶體管是NPN型還是PNP型時(shí),主要依據(jù)是其內(nèi)部半導(dǎo)體材料的排列方式以及電流在晶體管中的流動(dòng)方向。闡述如何根據(jù)三個(gè)電流(通常指的是發(fā)射極電流IE、...
晶體管的極性,是一個(gè)在電子學(xué)領(lǐng)域具有基礎(chǔ)且重要意義的概念。為了全面闡述晶體管的極性,我們需要從其定義、分類(lèi)、工作原理、極性的具體表現(xiàn)以及在實(shí)際應(yīng)用中的意...
在電子電路設(shè)計(jì)中,光耦合器是一種重要的元件。根據(jù)輸出引腳的可用性和內(nèi)部結(jié)構(gòu),光耦合器可以分為多種類(lèi)型。本文將詳細(xì)探討光晶體管光電耦合器、光達(dá)林頓晶體管光...
PNP傳感器和NPN傳感器在工業(yè)自動(dòng)化、電子控制等領(lǐng)域中扮演著重要角色,它們的主要區(qū)別在于電流方向、電壓輸出以及在電路中的接線方式。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)...
PNP傳感器的主要構(gòu)成部分是一個(gè)PNP型晶體管,這種晶體管由一塊P型半導(dǎo)體夾在兩塊N型半導(dǎo)體之間形成。PNP晶體管的三個(gè)極分別為發(fā)射極(Emitter,...
晶體管作為CPU(中央處理器)的基本構(gòu)成單元,對(duì)CPU的性能有著至關(guān)重要的影響。
FET(Field Effect Transistor,場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的放大原理是基于電場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性的調(diào)控作用。FET作為一種三端半導(dǎo)體器件,通...
晶體管的開(kāi)關(guān)模式和放大模式的區(qū)別
晶體管的開(kāi)關(guān)模式和放大模式是其在電子電路中兩種截然不同的工作模式,它們?cè)谠?、特點(diǎn)、應(yīng)用以及電路行為等方面都存在顯著的差異。以下是對(duì)這兩種模式的詳細(xì)對(duì)比分析。
晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對(duì)于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類(lèi):放大模式和開(kāi)關(guān)模式。這兩種模式基于晶...
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