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探測器（detector），是觀察 、記錄粒子的裝置 ，核物理和粒子物理實驗研究中不可缺少的設備。探測器可分為兩類：計數(shù)器和徑跡探測器。
探測器（detector），是觀察 、記錄粒子的裝置 ，核物理和粒子物理實驗研究中不可缺少的設備。探測器可分為兩類：計數(shù)器和徑跡探測器。
金屬探測器利用電磁感應的原理，利用有交流電通過的線圈，產(chǎn)生迅速變化的磁場。分類
探測器（detector）可分為兩類：計數(shù)器和徑跡探測器，下面來分別詳細的介紹一下。
探測器（detector），是觀察 、記錄粒子的裝置 ，核物理和粒子物理實驗研究中不可缺少的設備。探測器可分為兩類：計數(shù)器和徑跡探測器。
金屬探測器利用電磁感應的原理，利用有交流電通過的線圈，產(chǎn)生迅速變化的磁場。分類
探測器（detector）可分為兩類：計數(shù)器和徑跡探測器，下面來分別詳細的介紹一下。
計數(shù)器
有電離室、正比計數(shù)器 、蓋革-米勒計數(shù)器 、閃爍計數(shù)器、切倫科夫計數(shù)器、半導體探測器等等。它的目的主要是用來記錄粒子的數(shù)目。一般要求計數(shù)器具有一定的時間分辨率，即先后兩個粒子射入計數(shù)器可分辨的時間。通常計數(shù)器常與定標電路和符合電路聯(lián)合使用。
定標電路是一種將脈沖計數(shù)進制的電路，通過計數(shù)器與定標電路的聯(lián)用，可對粒子快速計數(shù) ；符合電路是將兩個或兩個以上的計數(shù)管同電子線路配合而成，它可以專門只記錄那些使計數(shù)管協(xié)同動作的粒子，而對于只使一個計數(shù)管動作的粒子不作反應，從而記錄所需尋找的粒子。
徑跡探測器
有云室、氣泡室、流光室、火花室、多絲正比室、核乳膠等。它可以顯示粒子穿行的徑跡。徑跡探測器配以適當?shù)拇艌?，可根?jù)徑跡的長短、粗細、彎曲的方向和彎曲的曲率半徑推測出粒子的電荷、質(zhì)量和能量。
食品金屬探測器
適用范圍：
Ø 專門用于肉類、菌類、糖果、飲料、糧食、果蔬、乳制品、水產(chǎn)品、保健品、添加劑和調(diào)味品等食品中的鐵金屬以及非鐵金屬雜質(zhì)的檢測。Ø 用于化工原料、橡膠、塑膠、紡織品、皮革、化纖、玩具中的金屬雜質(zhì)檢測Ø 用于醫(yī)藥、保健品、生物制品、化妝品、禮品、包裝、紙品中的金屬雜質(zhì)檢測21EHERO-500QZ智能記憶數(shù)字金屬探測器產(chǎn)品特點：1、采用最新一代的數(shù)字信號處理（DSP）技術(shù)和智能算法，提高了檢測精度和穩(wěn)定度；也是國內(nèi)唯一一款采用DSP技術(shù)的數(shù)字金屬探測器。日本進口芯片。2、采用德國自動濾波技術(shù)（相位調(diào)節(jié)技術(shù)），能夠有效抑制產(chǎn)品效應；能夠檢測產(chǎn)品效應比較大的產(chǎn)品，如：冷凍食品、肉類、大米、腌制品等；3、具有智能設置，設備能自動設置適合被檢測產(chǎn)品的最佳靈敏度，操作簡單方便。4、記憶功能功能：將最佳靈敏度保存下來，下次測試可直接檢測，可存儲50多種產(chǎn)品的檢測參數(shù)；5、 LCD液晶屏顯示，中英文菜單畫面，輕松實現(xiàn)人機對話操作；6、可檢測鐵、不銹鋼、銅、鋁及鉛等多種金屬材質(zhì)7、靈活的數(shù)字式靈敏度控制方式以及多種高級手動設置功能；多種規(guī)格可供選擇，適應不同的物料檢測靈敏度要求；8、 全不銹鋼SUS304制造，高等級防護電機供選擇；9、最高的IP69防護等級；線路部分內(nèi)置于探測頭內(nèi)部，減少外界環(huán)境腐蝕，操作面板、電機箱雙重防水，適用于特別惡劣的工作環(huán)境；10、簡便的可拆卸式機架，方便用戶清洗；傳送帶的特殊設計，避免傳送帶跑偏，11、多種排除方式可供選擇；精確的剔除控制，確保異物的可靠剔除的最少的物料浪費。
原理
金屬探測器利用電磁感應的原理，利用有交流電通過的線圈，產(chǎn)生迅速變化的磁場。這個磁場能在金屬物體內(nèi)部能感生渦電流。渦電流又會產(chǎn)生磁場，倒過來影響原來的磁場，引發(fā)探測器發(fā)出鳴聲。
半導體探測器
半導體探測器是以半導體材料為探測介質(zhì)的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內(nèi)產(chǎn)生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號。常用半導體探測器有 P-N結(jié)型半導體探測器、 鋰漂移型半導體探測器和高純鍺半導體探測器。詞條詳細介紹了上述三種半導體探測器的原理、特點、工作條件等等。
基本原理
半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內(nèi)產(chǎn)生電子－空穴對，電子－空穴對在外電場的作用下漂移而輸出信號 。
我們把氣體探測器中的電子－離子對、閃爍探測器中被 PMT第一打拿極收集的電子 及半導體探測器中的電子－空穴對統(tǒng)稱為探測器的信息載流子。產(chǎn)生每個信息載流子的平均能量分別為30eV（氣體探測器），300eV（閃爍探測器）和3eV（半導體探測器）。
P-N結(jié)半導體探測器
工作原理
多數(shù)載流子擴散，空間電荷形成內(nèi)電場并形成結(jié)區(qū)。結(jié)區(qū)內(nèi)存在著勢壘，結(jié)區(qū)又稱為勢壘區(qū)。勢壘區(qū)內(nèi)為耗盡層，無載流子存在，實現(xiàn)高電阻率，遠高于本征電阻率 。
在P-N結(jié)上加反向電壓，由于結(jié)區(qū)電阻率很高，電位差幾乎都降在結(jié)區(qū)。
反向電壓形成的電場與內(nèi)電場方向一致。
在外加反向電壓時的反向電流：
少子的擴散電流，結(jié)區(qū)面積不變，IS 不變；
結(jié)區(qū)體積加大，熱運動產(chǎn)生電子空穴多，IG 增大；
反向電壓產(chǎn)生漏電流 IL ，主要是表面漏電流。
P-N結(jié)半導體探測器的類型
擴散結(jié)（Diffused Junction）型探測器
采用擴散工藝——高溫擴散或離子注入；材料一般選用P型高阻硅，電阻率為1000；在電極引出時一定要保證為歐姆接觸，以防止形成另外的結(jié)。
金硅面壘（Surface Barrier）探測器
一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N結(jié)。工藝成熟、簡單、價廉。
存在的矛盾
由于一般半導體材料的雜質(zhì)濃度和外加高壓的限制，耗盡層厚度為1～2mm。 對強穿透能力的輻射而言，探測效率受很大的局限。
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