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標簽 > 開關(guān)損耗
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一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。...
2019-06-27 標簽:開關(guān)電源開關(guān)損耗 2777 0
入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例
對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢,包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 9914 0
開關(guān)損耗測量中時間偏移對測量結(jié)果的影響分析
開關(guān)器件的功率損耗是開關(guān)器件評估的重要環(huán)節(jié),也是許多示波器選配的高級分析功能。事實上,雖然很多實驗室配備了功率損耗程度測量環(huán)境,對設(shè)備和探頭也投入不菲,...
2018-02-07 標簽:開關(guān)損耗 1231 0
基于CMM下開關(guān)損耗和反激開關(guān)損耗分析以及公式計算
1、CCM 模式開關(guān)損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 標簽:cmm開關(guān)損耗 9976 0
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗...
2017-11-10 標簽:開關(guān)電源電源管理開關(guān)損耗 6846 0
開關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計要求與要求
1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載,重載,容性負載),輸出短路,動態(tài)負載,高溫等情
2017-09-24 標簽:變壓器電源管理開關(guān)損耗 1.1萬 0
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