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標(biāo)簽 > 開關(guān)器件
單控開關(guān)作為開關(guān)器件的其中一種,它是一個開關(guān)控制一個系統(tǒng),比如我們家里常見的控制電燈的開關(guān)就是所說的單控開關(guān),單控開關(guān)的好處就是比較穩(wěn)定,好用,適用于大多數(shù)常用電器。再一個就是雙控開關(guān),雙控開關(guān)和單控開關(guān)原理比較相似。
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浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機(jī)制與防護(hù)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其長期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運(yùn)行安全。在諸多應(yīng)力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作...
2025-07-15 標(biāo)簽:電壓IGBT開關(guān)器件 225 0
Texas Instruments TMUX7612 4通道精密多路復(fù)用器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments TMUX7612 4通道精密多路復(fù)用器是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開關(guān)器件,具有四個可獨(dú)立選擇的1:1單刀單擲...
MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這...
破解MOS管高頻振蕩困局:從米勒平臺抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場效應(yīng)管)的本質(zhì)在柵極(G)電壓對漏極(D)與源極(S)間導(dǎo)電溝道的精準(zhǔn)控制,作為開關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)柵源電壓(Vgs)超過閾...
2025-06-18 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管開關(guān)器件 259 0
Analog Devices Inc. ADRF5347 1.8GHz至3.8GHz硅SP4T開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. ADRF5347 1.8GHz至3.8GHz硅SP4T開關(guān)采用硅工藝精密加工而成。Analog Devices ...
2025-06-12 標(biāo)簽:SP4TAnalog開關(guān)器件 204 0
UC1710系列 具有 5V UVLO 和分離地的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UC1710 系列 FET 驅(qū)動器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級控制功能和非常高功率的開關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET\x92s。這些器件接受低...
UC2710系列 具有 5V UVLO、分離接地和 6A 峰值輸出電流的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UC1710 系列 FET 驅(qū)動器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級控制功能和非常高功率的開關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET\x92s。這些器件接受低...
UC3710系列 具有 5V UVLO、熱關(guān)斷和分離接地的 6A/6A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UC1710 系列 FET 驅(qū)動器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級控制功能和非常高功率的開關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET\x92s。這些器件接受低...
UC1708-SP系列 具有 35V VDD 的耐輻射 QMLV、3A/3A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UC1708 系列功率驅(qū)動器采用高速、高電壓肖特基工藝制成,用于連接控制功能和高功率開關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET。這些器件在 5 V 至 35 V...
2025-05-22 標(biāo)簽:TTL輸入電壓開關(guān)器件 217 0
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時可以等效為電壓控制的...
2025-05-21 標(biāo)簽:模塊IGBT開關(guān)器件 510 0
提升開關(guān)電源效率的理論分析與實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)
在這里有電源技術(shù)干貨、電源行業(yè)發(fā)展趨勢分析、最新電源產(chǎn)品介紹、眾多電源達(dá)人與您分享電源技術(shù)經(jīng)驗(yàn),關(guān)注我們,與中國電源行業(yè)共成長! 提升開關(guān)電源效率的理論...
2025-01-09 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 1001 0
BUCK電路占空比調(diào)試指南 BUCK電路占空比設(shè)計注意事項(xiàng)
以下是一份BUCK電路占空比調(diào)試指南以及設(shè)計注意事項(xiàng): BUCK電路占空比調(diào)試指南 理解占空比的概念 : 占空比是指在一個周期內(nèi),開關(guān)器件處于導(dǎo)通狀態(tài)的...
隨著科技的發(fā)展和環(huán)保意識的提高,LED照明因其高效節(jié)能、長壽命、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)逐漸成為照明市場的主流。在LED照明系統(tǒng)中,開關(guān)電源扮演著至關(guān)重要的角色,它不...
2024-11-20 標(biāo)簽:led照明開關(guān)電源開關(guān)器件 1390 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,三極管和場效應(yīng)管是兩種基本的放大和開關(guān)器件。它們在設(shè)計和應(yīng)用上有著顯著的差異,這些差異影響了它們的性能和適用領(lǐng)域。 工作原理 三極管(...
2024-11-01 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管pnp 1567 0
一、開關(guān)電源的定義 開關(guān)電源(Switched-Mode Power Supply,SMPS)是一種通過高頻開關(guān)器件(如晶體管、MOSFET等)進(jìn)行電能...
2024-10-18 標(biāo)簽:開關(guān)電源高頻開關(guān)器件 3575 0
PWM(Pulse Width Modulation,脈沖寬度調(diào)制)開關(guān)電源輸出電壓跳動是一個復(fù)雜的問題,可能涉及多個方面的因素。以下是對PWM開關(guān)電源...
2024-10-18 標(biāo)簽:控制器輸出電壓開關(guān)器件 4125 0
超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式
在過去的二十年,MOSFET主要用作開關(guān)器件,得到了長足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對較小的開關(guān)損耗,但其通態(tài)功耗較高,要降低通態(tài)功耗,導(dǎo)通電阻受擊穿...
在過去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限,被稱為“硅極限”。為了突...
電機(jī)控制器作為電機(jī)控制系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,主要負(fù)責(zé)控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速、方向和停止等功能。其故障診斷與維修是確保電機(jī)正常運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。以下是對電機(jī)控制器故障診...
2024-09-27 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)元件電機(jī)控制器 5335 0
RCD(Resistor-Capacitor-Diode)吸收電路是一種在電子電路中常見的保護(hù)和緩沖電路,主要用于減少開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的電壓尖峰...
2024-09-18 標(biāo)簽:RCD吸收電路電子電路開關(guān)器件 2030 0
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