高頻電解電容與普通電解電容的區(qū)別

電解電容的基本結(jié)構(gòu)是外面有個(gè)鋁殼，里面充滿了電解質(zhì)，并引出兩個(gè)正負(fù)極電極，這就構(gòu)成了電解電容的基本結(jié)構(gòu)，它的作用主要是濾波，也就是減少紋波、穩(wěn)定電流，廣...

2023-07-25 標(biāo)簽：電容器電路圖電解電容 2741 0

IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響

階段2(tl—t2)：在t1時(shí)刻，VGE>Vth，溝道開(kāi)啟，電子開(kāi)始通過(guò)溝道注入到基區(qū)，同時(shí)背面的集電極開(kāi)始向基區(qū)內(nèi)注入空穴，集電極開(kāi)始產(chǎn)生電流I...

2023-07-14 標(biāo)簽：TVS二極管IGBT續(xù)流二極管 2347 0

IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開(kāi)啟。

2023-07-13 標(biāo)簽：仿真器IGBT續(xù)流二極管 1114 0

HSIM, XA及其與VCS的混合驗(yàn)證方案在RF收發(fā)器芯片中的應(yīng)用

本文所用測(cè)例RFIC是一款自研射頻收發(fā)器芯片，工作于全球通用的ISM 2.400～2.525GHz頻段，126通道，集成了頻率綜合器，功率放大器，調(diào)制和...

2023-07-11 標(biāo)簽：功率放大器EDA工具仿真器 1.0萬(wàn) 0

射頻頻率上就沒(méi)有純正的？

為啥在外行的人看來(lái)，射頻這么玄乎呢？

2023-07-10 標(biāo)簽：電容器電阻器射頻電路 446 0

PCB多層板疊層設(shè)計(jì)

PCB(Printed Circuit Board)，即印刷電路板，其按照導(dǎo)體層數(shù)分類，可以分為只有一面覆銅的單面板，兩面都有覆銅的雙面板，以及具有多個(gè)...

2023-07-08 標(biāo)簽：電容器PCB板IC設(shè)計(jì) 5075 0

淺談VCC和GND間的電容作用

電源與地之間接電容的原因有兩個(gè)作用，儲(chǔ)能和旁路儲(chǔ)能：電路的耗電有時(shí)候大，有時(shí)候小，當(dāng)耗電突然增大的時(shí)候如果沒(méi)有電容，電源電壓會(huì)被拉低。

2023-07-07 標(biāo)簽：電容電解電容寄生電感 1038 0

射頻中的旁路與去耦設(shè)計(jì)時(shí)注意的要點(diǎn)

射頻電路工作頻率高，與數(shù)字、模擬電路相比，射頻電路非理想特性眾多，寄生效應(yīng)復(fù)雜。

2023-07-04 標(biāo)簽：放大器MLCC射頻電路 1329 0

MOS管的柵極開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電阻

在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。

2023-06-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器振蕩器MOS管 6715 0

簡(jiǎn)單分析一下如何進(jìn)行合理PCB layout布局以及設(shè)計(jì)中的注意事項(xiàng)

在DCDC電源電路中，PCB的布局對(duì)電路功能的實(shí)現(xiàn)和良好的各項(xiàng)指標(biāo)來(lái)說(shuō)都十分重要。

2023-06-25 標(biāo)簽：PCB布局寄生電感buck電路 792 0

PCB走線中需要注意的7個(gè)點(diǎn)

今天給大家分享的是：PCB走線中需要注意的7個(gè)點(diǎn)。 一、PCB 電源布線 數(shù)字電路很多時(shí)候需要的電流是不連續(xù)的，所以對(duì)一些高速器件就會(huì)產(chǎn)生浪涌電流。 如...

2023-06-19 標(biāo)簽：寄生電感PCB走線高速器件 3916 0

提升PCB板Layout質(zhì)量的6個(gè)細(xì)節(jié)

現(xiàn)在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規(guī)則來(lái)完成布局布線的，俗稱的“拉線工”。

2023-06-12 標(biāo)簽：PCB板Layout寄生電容 900 0

為啥在外行的人看來(lái)，射頻這么玄乎呢？

比如，下圖所示，是廠家標(biāo)稱高頻電阻的阻值與頻率之間的關(guān)系。雖然在其手冊(cè)上，寫的是High Frequency（Up to 40GHz）Resistor,...

2023-06-09 標(biāo)簽：射頻電容寄生電感 797 0

單片機(jī)EMC檢測(cè)工作如何輕松搞定？

EMC：Electromagnetic Compatibility，即電磁兼容性。指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無(wú)法...

2023-06-09 標(biāo)簽：單片機(jī)emc電磁干擾 516 0

硬件測(cè)試-噪聲的測(cè)試分析（1）

隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，芯片工作電壓越來(lái)越低，而工作速度越來(lái)越快，功耗越來(lái)越大。

2023-05-29 標(biāo)簽：寄存器微處理器晶體管 2198 0

怎樣才能知道0.5W的電阻可以承受多長(zhǎng)時(shí)間0.7W功率的脈沖呢？

例如，已知電阻消耗功率為0.7W，在選擇器件的時(shí)候，僅僅知道應(yīng)該選擇容量為 1W的電阻是不夠的。

2023-05-29 標(biāo)簽：PCB板貼片電阻運(yùn)算放大器 3127 0

MOSFET雪崩特性參數(shù)解析

EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。

2023-05-24 標(biāo)簽：MOSFETRCD寄生電感 5091 0

SiC動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法

碳化硅（SiC）技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET寄生電感體二極管 2310 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管SiC 7283 0